1.一种双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法为：（1）将硝酸钴溶于去离子水中，利用电沉积在导电基底上生长片状氢氧化钴阵列，再将氢氧化钴阵列于空气中退火形成多孔、片状四氧化三钴阵列；

（2）将聚苯胺沉积到上述生长有四氧化三钴阵列的基底上后于Ar气或N2气中退火反应，即可制备得到双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极。

2.根据权利要求1所述的双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的硝酸钴水溶液浓度为50 200 mM。

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3.根据权利要求1所述的双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，电沉积时间为90 360 s，工作电极相对于饱和甘汞电极的电位为 -0.9 -1.2 ~ ~V。

4.根据权利要求1所述的双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的导电基底包括碳布、石墨纸、泡沫铜或镍中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的空气中退火的温度为300 500℃，退火反应时间为0.5 2 h。

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6.根据权利要求1所述的双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的聚苯胺沉积方法包括电沉积和化学浴两种；所述的聚苯胺电沉积是在苯胺与硫酸钠的混合溶液中进行电沉积；化学浴是在苯胺单体水溶液和过硫酸铵水溶液中交替浸泡，交替次数为10 60。

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7.根据权利要求6所述的双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的苯胺浓度为0.02-0.08 M，硫酸钠浓度为0.1-0.4 M。

8.根据权利要求6所述的双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，电沉积过程中，阳极电流大小为0.5 4 mA，沉积时间600 3600 s。

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9.根据权利要求6所述的双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，化学浴中苯胺单体水溶液的浓度为30-70mmol，过硫酸铵水溶液生物浓度为10-

20 mmol。

10.根据权利要求1所述的双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的Ar气或N2气中600 900℃退火反应，退火反应时间为0.5 4 h。

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