1.一种紫外发光二极管，包括蓝宝石衬底与GaN缓冲层，其特征在于，所述紫外发光二极管包括GaN纳米线层与GaN纳米线融合层；

所述GaN纳米线层设置在所述紫外发光二极管的蓝宝石衬底表面；

所述GaN纳米线层包括GaN纳米线，所述GaN纳米线的两端分别连接所述GaN纳米线融合层和所述蓝宝石衬底，实现所述GaN纳米线融合层与所述蓝宝石衬底间的电连接；

所述GaN纳米线融合层设置在所述GaN纳米线层与所述紫外发光二极管的GaN缓冲层之间。

2.如权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述紫外发光二极管还包括金属基底层；

所述金属基底设置在所述紫外发光二极管的蓝宝石衬底与所述GaN纳米线层之间。

3.如权利要求2所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述金属基底层为镍层。

4.如权利要求3所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述镍层的厚度范围为5纳米至

10纳米，包括端点值。

5.如权利要求1至4任一项所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述GaN纳米线层的厚度范围为100纳米至150纳米，包括端点值。

6.一种紫外发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：提供蓝宝石衬底，通入含镓源氮气、氯化氢气体及氨气，在所述蓝宝石衬底表面生长出GaN纳米线，生成GaN纳米线层；

使所述GaN纳米线横向生长，生成GaN纳米线融合层；

依次在所述GaN纳米线融合层上设置GaN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、AlGaN/GaN多量子阱结构、P型AlGaN层及P型GaN层，得到所述紫外发光二极管。

7.如权利要求6所述的紫外发光二极管的制作方法，其特征在于，在所述生长出GaN纳米线之前，还包括：在所述蓝宝石衬底表面设置金属基底层；

所述在所述蓝宝石衬底表面生长出GaN纳米线，生成GaN纳米线层包括：在所述金属基底层表面生长出GaN纳米线，生成GaN纳米线层。

8.如权利要求6所述的紫外发光二极管的制作方法，其特征在于，所述GaN纳米线在生长时的环境温度的范围为650摄氏度至700摄氏度，包括端点值；所述GaN纳米线的生长时间的范围为20分钟至30分钟，包括端点值。

9.如权利要求6所述的紫外发光二极管的制作方法，其特征在于，所述GaN纳米线融合层在生成时的环境温度的范围为800摄氏度至850摄氏度，包括端点值。

10.如权利要求9所述的紫外发光二极管的制作方法，其特征在于，所述GaN纳米线融合层的生成时间的范围为20分钟至30分钟，包括端点值。