1.一种高球形度的碳化硅颗粒的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1)将碳化硅粉末和氮化硅粉末按质量比1：0.6～1.5混合，得到混合粉末；2)将步骤1)的混合粉末清洗后干燥；3)将步骤2)处理所得混合粉末装入石墨匣钵，盖上石墨基片，进行真空烧结，得碳化硅颗粒，且烧结制度分为五个阶段：

第一阶段是将烧结温度从室温逐渐升至1000℃，升温速率为16℃/min；

第二阶段是将烧结温度从1000℃逐渐升至1500℃，升温速率为10℃/min；

第三阶段是将烧结温度从1500℃逐渐升至1600℃，升温速率为7℃/min；

第四阶段是将烧结温度从1600℃逐渐升至2000℃，升温速率为4℃/min；

第五阶段是在2000℃的温度下保温。

2.根据权利要求1所述的一种高球形度的碳化硅颗粒的制备方法，其特征在于：所述氮化硅粉末、碳化硅粉末的粒径均为0.45～0.55μm。

3.根据权利要求1所述的一种高球形度的碳化硅颗粒的制备方法，其特征在于：步骤2)中采用在混合粉末中加入无水乙醇进行清洗。

4.根据权利要求1所述的一种高球形度的碳化硅颗粒的制备方法，其特征在于：步骤3)中烧结的条件为氩气氛围，在常压下烧结。

5.根据权利要求1所述的一种高球形度的碳化硅颗粒的制备方法，其特征在于：所述烧结温度为1600℃～2050℃，烧结时间为1.8～5h。

6.根据权利要求1至5任一项所述的一种高球形度的碳化硅颗粒的制备方法，其特征在于：所述碳化硅颗粒的粒径为1.2μm～2μm。