1.一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将Sm源、Zn源加入到乙二醇甲醚和醋酸酐的均匀溶液A中,搅拌,形成溶胶C;其中,溶胶C中Sm3+浓度为0.1~1.0mol/L、Zn2+的质量分数为Sm3+质量分数的1%~10%;
2)将溶胶C静置陈化,形成凝胶D;
3)旋涂镀膜:将凝胶D采用旋涂法,涂布在基片上镀膜,制得湿膜;
4)烘烤:将制备的湿膜烘烤,得到干膜;
5)在步骤4)的干膜上,重复若干次旋涂镀膜、烘烤工艺,得到预设厚度的薄膜;
6)将得到预设厚度的薄膜经高温退火后,得到ZnO/Sm2O3复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1)中乙二醇甲醚和醋酸酐按照体积比为(2~5):1的比例混合,搅拌制得均匀溶液A。
3.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1)中Sm源为Sm(NO)3或分析纯的Sm(NO)3·6H2O;Zn源为Zn(NO3)2或分析纯的Zn(NO3)2·6H2O。
4.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1)中采用磁力搅拌器搅拌,搅拌时间为1~5h。
5.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤2)中溶胶C静置陈化温度为室温,静置陈化时间为5~12h。
6.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中采用导电玻璃基片。
7.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤4)中烘烤温度为80~200℃。
8.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤6)高温退火具体为:450~700℃下高温退火2~10h。
9.一种由权利要求1-8任意一项所述制备方法制备出的ZnO/Sm2O3复合薄膜。
10.权利要求9所述的ZnO/Sm2O3复合薄膜在光催化降解有机物中的应用。