1.一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将Sm源、Zn源加入到乙二醇甲醚和醋酸酐的均匀溶液A中，搅拌，形成溶胶C；其中，溶胶C中Sm3+浓度为0.1～1.0mol/L、Zn2+的质量分数为Sm3+质量分数的1％～10％；

2)将溶胶C静置陈化，形成凝胶D；

3)旋涂镀膜：将凝胶D采用旋涂法，涂布在基片上镀膜，制得湿膜；

4)烘烤：将制备的湿膜烘烤，得到干膜；

5)在步骤4)的干膜上，重复若干次旋涂镀膜、烘烤工艺，得到预设厚度的薄膜；

6)将得到预设厚度的薄膜经高温退火后，得到ZnO/Sm2O3复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中乙二醇甲醚和醋酸酐按照体积比为(2～5):1的比例混合，搅拌制得均匀溶液A。

3.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中Sm源为Sm(NO)3或分析纯的Sm(NO)3·6H2O；Zn源为Zn(NO3)2或分析纯的Zn(NO3)2·6H2O。

4.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中采用磁力搅拌器搅拌，搅拌时间为1～5h。

5.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中溶胶C静置陈化温度为室温，静置陈化时间为5～12h。

6.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中采用导电玻璃基片。

7.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤4)中烘烤温度为80～200℃。

8.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤6)高温退火具体为：450～700℃下高温退火2～10h。

9.一种由权利要求1-8任意一项所述制备方法制备出的ZnO/Sm2O3复合薄膜。

10.权利要求9所述的ZnO/Sm2O3复合薄膜在光催化降解有机物中的应用。