1.一种对称矩形电滞回线的BLSFMC/CFLO复合薄膜,其特征在于,包括复合在一起的上层膜和底层膜;上层膜的化学式为Bi0.79La0.18Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3,为多晶扭曲钙钛矿结构,空间群为R3c;底层膜的化学式为CoFe2-xLaxO4,为立方反尖晶石结构,空间群为Fd3m,其中,x=0.03~0.15。
2.根据权利要求1所述的对称矩形电滞回线的BLSFMC/CFLO复合薄膜,其特征在于,当x=0.03时,在50V的外加电压下具有剩余极化值为171μC/cm2的对称矩形电滞回线,矩形度Rsq为1.40;在外加磁场下作用下,剩余磁化值11.5~81.4emu/cm3,饱和磁化值为23.2~3
121.5emu/cm,矫顽场为600~1000Oe。
3.一种权利要求1-2任一项所述的对称矩形电滞回线的BLSFMC/CFLO复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,将硝酸钴、硝酸铁和硝酸镧溶于乙二醇甲醚中,搅拌均匀后加入醋酸酐,继续搅拌均匀,得到底层膜前驱液;
步骤2,将底层膜前驱液旋涂在FTO/glass基片上,得到湿膜,湿膜经匀胶后在190~195℃下烘烤得干膜,再于660~710℃下在空气中退火,得到晶态CoFe2-xLaxO4薄膜;
步骤3,将晶态CoFe2-xLaxO4薄膜冷却,重复步骤2直到达到预设厚度,即得到底层膜;
步骤4,将硝酸铋、硝酸镧、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴溶于乙二醇甲醚中,搅拌均匀后加入醋酸酐,继续搅拌均匀,得到上层膜前驱液;
步骤5,将上层膜前驱液涂在步骤3得到的底层膜上,得到湿膜,湿膜经匀胶后再190~
195℃下烘烤得干膜,再于550~600℃下在空气中退火,得到晶态Bi0.79La0.18Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3薄膜;
步骤6,待晶态Bi0.79La0.18Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3薄膜降温后,在Bi0.79La0.18Sr0.03Fe0.9
4Mn0.04Co0.02O3薄膜上重复步骤5,达到预设厚度,即得到对称矩形电滞回线的BLSFMC/CFLO复合薄膜。
4.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BLSFMC/CFLO复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1中,底层膜前驱液中金属离子的总浓度为0.2~0.4mol/L。
5.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BLSFMC/CFLO复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤4中,上层膜前驱液中金属离子的总浓度为0.2~0.3mol/L。
6.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BLSFMC/CFLO复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述底层膜与上层膜前驱液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比均为(2.5~3.5):1。
7.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BLSFMC/CFLO复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤2和步骤5中,匀胶时的匀胶转速为3500~4000r/min,匀胶时间为10~16s。
8.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BLSFMC/CFLO复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤2和步骤5中,匀胶后的烘烤时间为8~10min。
9.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BLSFMC/CFLO复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤2中的退火时间为35~45min。
10.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BLSFMC/CFLO复合薄膜的制备方法,其特征在于,步骤5中的退火时间为25~35min。