1.一种对称矩形电滞回线的BGSFMC/CFGO复合薄膜，其特征在于，包括复合在一起的上层膜和底层膜；上层膜的化学式为Bi0.88Gd0.09Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3，为多晶扭曲钙钛矿结构，空间群为R3c；底层膜的化学式为CoFe2-xGdxO4，为立方反尖晶石结构，空间群为Fd3m，其中，x＝0.02～0.18。

2.根据权利要求1所述的对称矩形电滞回线的BGSFMC/CFGO复合薄膜，其特征在于，当x＝0.18时，在40V的外加电压下剩余极化值为135μC/cm2，电滞回线矩形度Rsq为1.27；在外加磁场下作用下，其剩余磁化值为12～30emu/cm3，饱和磁化值为38～56emu/cm3。

3.一种权利要求1-2任一项所述的对称矩形电滞回线的BGSFMC/CFGO复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将硝酸钴、硝酸铁和硝酸钆溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后加入醋酸酐，继续搅拌均匀，得到底层膜的前驱液；

步骤2，将底层膜前驱液旋涂在FTO/glass基片上，得到湿膜，湿膜经匀胶后在190～195℃下烘烤得干膜，再于660～710℃下在空气中退火，得到晶态CoFe2-xGdxO4薄膜；

步骤3，将晶态CoFe2-xGdxO4薄膜冷却，重复步骤2直到达到预设厚度，即得到底层膜；

步骤4，将硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后加入醋酸酐，继续搅拌均匀，得到上层膜前驱液；

步骤5，将上层膜前驱液涂在步骤3得到的底层膜上，得到湿膜，湿膜经匀胶后再190～

195℃下烘烤得干膜，再于550～600℃下在空气中退火，得到晶态Bi0.88Gd0.09Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3薄膜；

步骤6，待晶态Bi0.88Gd0.09Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3薄膜降温后，在Bi0.88Gd0.09Sr0.03Fe0.9

4Mn0.04Co0.02O3薄膜上重复步骤5，达到预设厚度，即得到对称矩形电滞回线的BGSFMC/CF2-xGxO复合薄膜。

4.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BGSFMC/CFGO复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，上层膜前驱液中金属离子的总浓度为0.2～0.4mol/L。

5.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BGSFMC/CFGO复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4中，底层膜前驱液中金属离子的总浓度为0.2～0.3mol/L。

6.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BGSFMC/CFGO复合薄膜的制备方法，其特征在于，底层膜前驱液与上层膜前驱液中，乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比均为(2.5～3.5):

1。

7.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BGSFMC/CFGO复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2和步骤5中，匀胶时的匀胶转速为3500～4000r/min，匀胶时间为10～16s。

8.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BGSFMC/CFGO复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2和步骤5中，匀胶后的烘烤时间为8～10min。

9.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BGSFMC/CFGO复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中的退火时间为35～45min。

10.根据权利要求3所述的对称矩形电滞回线的BGSFMC/CFGO复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤5中的退火时间为25～35min。