1.一种多级覆叠半导体超低温快速升降温装置，其特征在于：

包括超低温控制装置(1)、预控温装置(2)、控制器，

所述超低温控制装置(1)包括支撑卡座(12)、压紧板(13)、换热器(14)、二级散热半导体制冷片(15)、导热片(16)、一级温控半导体制冷片(18)，所述支撑卡座(12)包括底板以及沿底板边缘设置的侧板，所述底板上设有制冷通孔，所述一级温控半导体制冷片(18)设于制冷通孔的上部，所述一级温控半导体制冷片(18)的下部为制冷面并且制冷面上设有目标温度探头(3)，一级温控半导体制冷片(18)用以给物品或空间降温，所述导热片(16)设于一级温控半导体制冷片(18)的上部，

所述二级散热半导体制冷片(15)设于导热片(16)的上部，所述二级散热半导体制冷片(15)下部为制冷面并且制冷面上设有二级温度探头(4)，所述换热器(14)设于二级散热半导体制冷片(15)的上部，

所述压紧板(13)设于换热器(14)的上部，所述压紧板(13)与支撑卡座(12)的底板连接，所述一级温控半导体制冷片(18)、二级散热半导体制冷片(15)、二级温度探头(4)、目标温度探头(3)与控制器电气连接；

所述预控温装置(2)包括预控外壳(21)，预控外壳(21)内部设有层叠设置的第一、二换热半导体制冷片(23、25)、第一、二换热器(22、26)、冷媒预控换热器(24)，预控外壳(21)上设有冷媒输入管(28)、冷媒回流管(29)、换热输入管(6)、换热回流管(7)，冷媒预控换热器(24)位于中部，所述冷媒输入管(28)的管壁上设有冷媒温度探头，所述冷媒温度探头和控制器电气连接；

第一、二换热半导体制冷片(23、25)分别位于冷媒预控换热器(24)的两侧并且第一、二换热半导体制冷片(23、25)的制冷面和冷媒预控换热器(24)接触，第一、二换热器(22、26)分别与第一、二换热半导体制冷片(23、25)的发热面接触，所述冷媒预控换热器(24)的入口、第一、二换热器(22、26)的入口和冷媒输入管(28)连通，所述冷媒预控换热器(24)的出口通过换热输入管(6)和换热器(14)的入口连通，换热器(14)的出口和换热回流管(7)连通，所述换热回流管(7)的管壁上设有回温温度探头(5)，换热回流管(7)、第一、二换热器(22、26)的出口和冷媒回流管(29)连通，所述回温温度探头(5)、第一、二换热半导体制冷片(23、25)与控制器电气连接，所述预控外壳(21)的内部空间内填充有保温材料。

2.根据权利要求1所述的一种多级覆叠半导体超低温快速升降温装置，其特征在于：

所述换热器(14)、二级散热半导体制冷片(15)之间设有三级散热半导体制冷片和第二导热片，换热器(14)与三级散热半导体制冷片的制热面接触，第二导热片的两面分别与二级散热半导体制冷片(15)的制热面和三级散热半导体制冷片的制冷面接触，所述导热片(16)、第二导热片的两侧面涂有导热硅脂。

3.根据权利要求1所述的一种多级覆叠半导体超低温快速升降温装置，其特征在于：

所述一级温控半导体制冷片(18)的面积大于制冷通孔的面积，所述导热片(16)的面积大于一级温控半导体制冷片(18)的面积，所述二级散热半导体制冷片(15)的面积大于导热片(16)的面积。

4.根据权利要求1所述的一种多级覆叠半导体超低温快速升降温装置，其特征在于：

所述换热器(14)包括导热材料制成的换热器壳体以及设置在换热器壳体内部的流道，设置在换热器壳体上的流道的出入口，所述第一、二换热器(22、26)、冷媒预控换热器(24)与换热器(14)的结构相同。

5.根据权利要求1所述的一种多级覆叠半导体超低温快速升降温装置，其特征在于：

所述超低温控制装置(1)设有温控外壳(11)，温控外壳(11)包裹在支撑卡座(12)以及压紧板(13)的外侧，所述温控外壳(11)内部空间填充有保温材料。

6.根据权利要求1所述的一种多级覆叠半导体超低温快速升降温装置，其特征在于：

所述支撑卡座(12)的侧板上设有接线端子(17)，所述接线端子(17)对内与一级温控半导体制冷片(18)、二级散热半导体制冷片(15)、二级温度探头(4)、目标温度探头(3)电气连接，接线端子(17)对外与控制器电气连接，所述预控外壳(21)上设有第二接线端子(8)，所述第二接线端子(8)对内和回温温度探头(5)、第一、二换热半导体制冷片(23、25)电气连接，第二接线端子(8)对外控制器电气连接。

7.根据权利要求1所述的一种多级覆叠半导体超低温快速升降温装置，其特征在于：

所述控制器设有触摸屏。

8.根据权利要求1所述的一种多级覆叠半导体超低温快速升降温装置的使用方法，其特征在于：步骤1、设定一级温控半导体制冷片(18)所要达到的温度以及降温速度，并设定第一、二温差值，所述第一温差值为一级温控半导体制冷片(18)两侧的温差值，所述第二温差值为二级散热半导体制冷片(15)两侧面的温差值，步骤2、启动一级温控半导体制冷片(18)进行制冷，通过调节一级温控半导体制冷片(18)的电压电流来调整一级温控半导体制冷片(18)的制冷面的温度以及降温速率，步骤3、检测第一温差值是否大于第一温差设定值，如果大于设定值则启动二级散热半导体制冷片(15)，如果小于设定值则关闭二级散热半导体制冷片(15)，步骤4、检测第二温差值是否大于第二温差设定值，如果大于设定值则启动第一、二换热半导体制冷片(23、25)，如果小于设定值则关闭第一、二换热半导体制冷片(23、25)，步骤5、检测目标温度探头(3)是否达到第一级温控半导体制冷片所要达到的温度设定值，如果达到设定值则关断一级温控半导体制冷片(18)、二级散热半导体制冷片(15)、第一、二换热半导体制冷片(23、25)电源，如果没有达到设定值则重复步骤3和步骤4。

9.根据权利要求8所述的一种多级覆叠半导体超低温快速升降温装置的使用方法，其特征在于：所述第一、二温差值的设定范围为20℃到50℃之间。