1.一种LIGBT型高压ESD保护器件，包括衬底层（101）及埋氧层（102），所述埋氧层（102）覆盖于所述衬底层（101）上方，其特征在于：所述埋氧层（102）上方覆盖设置有漂移层（103），所述漂移层（103）的上端分别设置有相分离的漏极阱（104）与源极阱（105），所述漂移层（103）的上端面覆盖设置有多晶硅栅极（106），所述漂移层（103）的上端形成有掺杂区（108），所述掺杂区（108）位于所述漏极阱（104）与所述源极阱（105）之间，所述漏极阱（104）的上端形成有漏极重掺杂区（107），所述源极阱（105）的上端分别形成有第一源极重掺杂区（109）、第二源极重掺杂区（110）以及第三源极重掺杂区（111），所述漂移层（103）的上端面还覆盖设置有多个用于不同掺杂区域间隔离的场氧隔离区；所述漏极重掺杂区（107）与漏极外接导线相连，所述掺杂区（108）与第三源极重掺杂区（111）二者导线相连，所述多晶硅栅极（106）、第一源极重掺杂区（109）以及第二源极重掺杂区（110）三者导线相连接地。

2.根据权利要求1所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述衬底层（101）为SOI硅衬底。

3.根据权利要求1所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述掺杂区（108）的长度可调，所述掺杂区（108）到所述源极阱（105）之间的距离可调。

4.根据权利要求1所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述掺杂区（108）的掺杂浓度与所述漏极阱（104）的掺杂浓度相等。

5.根据权利要求1所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述场氧隔离区包括第一场氧隔离区（112）、第二场氧隔离区（113）、第三场氧隔离区（114）、第四场氧隔离区（115）、第五场氧隔离区（116）以及第六场氧隔离区（117），所述漏极重掺杂区（107）位于所述第一场氧隔离区（112）与第二场氧隔离区（113）之间，所述第二场氧隔离区（113）位于所述漏极重掺杂区（107）与掺杂区（108）之间，所述第三场氧隔离区（114）位于所述掺杂区（108）与源极阱（105）之间，所述第四场氧隔离区（115）位于所述第一源极重掺杂区（109）与第二源极重掺杂区（110）之间，所述第五场氧隔离区（116）位于所述第二源极重掺杂区（110）与第三源极重掺杂区（111），所述第三源极重掺杂区（111）位于所述第五场氧隔离区（116）与第六场氧隔离区（117）之间。

6.根据权利要求5所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述第三场氧隔离区（114）的长度与所述掺杂区（108）到源极阱（105）之间的距离相同。

7.根据权利要求5所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述源极阱（105）靠近掺杂区（108）一侧的上端面覆盖设置有薄栅氧化层（118），所述多晶硅栅极（106）覆盖设置于所述薄栅氧化层（118）及第三场氧隔离区（114）的上端面。

8.根据权利要求1所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述漏极阱（104）的导电类型为N型，所述源极阱（105）的导电类型为P型，所述漏极重掺杂区（107）、掺杂区（108）、第二源极重掺杂区（110）以及第三源极重掺杂区（111）四者的导电类型均为P型，所述第一源极重掺杂区（109）的导电类型为N型。

9.根据权利要求1所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述漏极重掺杂区（107）、漂移层（103）、源极阱（105）以及第一源极重掺杂区（109）四者共同构成PNPN结构的第一ESD电流泄放路径。

10.根据权利要求1所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述源极阱（105）上设置有寄生电阻，所述漏极重掺杂区（107）、漏极阱（104）、漂移层（103）以及掺杂区（108）四者共同构成一个寄生PNP晶体管，所述寄生PNP晶体管与寄生电阻串联形成第二ESD电流泄放路径。