1.一种质量厚度为700-1400μg/cm2自支撑锗薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在衬底表面沉积氯化钠脱模剂；

（2）采用90度磁过滤阴极真空弧（FCVA）系统在衬底表面沉积氧化铝缓冲薄膜；（3）将样品旋转180°，采用直管磁过滤阴极真空弧（FCVA）系统再次沉积锗薄膜；

（4）将得到的衬底放入盛有乙醇溶液的容器中进行脱模处理；

（5）用打捞板将锗薄膜捞起，得到质量厚度为700-1400μg/cm2自支撑锗薄膜。

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2.根据权利要求1所述一种质量厚度为700-1400μg/cm自支撑锗薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述衬底为玻璃或者单晶硅衬底。

3.根据权利要求1-2任一项所述一种质量厚度为700-1400μg/cm2自支撑锗薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中采用电阻丝热蒸发法沉积氯化钠脱模剂，所述氯化钠脱模剂厚度200-300nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述一种质量厚度为700-1400μg/cm2自支撑锗薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中采用氧化铝靶材作为90度FCVA阴极，起弧电流为60-80A，弯管磁场1.0-3.0A，束流40-70mA，负偏压为-100～-150V，沉积时间为10-30min，占空比为40-

80%。

5.根据权利要求1-4任一项所述一种质量厚度为700-1400μg/cm2自支撑锗薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述氧化铝缓冲薄膜厚度为150-250nm，优选地，为180-

210nm。

6.根据权利要求1-5任一项所述一种质量厚度为700-1400μg/cm2自支撑锗薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中采用锗靶材作为直管FCVA阴极，起弧电流为70-90A，弯管磁场

2.0-4.0A，束流60-80mA，负偏压为-150～-250V，沉积时间为50-100min，占空比为50-90%。

7.根据权利要求1-6任一项所述一种质量厚度为700-1400μg/cm2自支撑锗薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述锗薄膜厚度为15-35μm。

8.根据权利要求1-7任一项所述一种质量厚度为700-1400μg/cm2自支撑锗薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述乙醇溶液含水质量为5%-8%。

9.一种质量厚度为700-1400μg/cm2自支撑锗薄膜，其特征在于采用如权利要求1-8任一项所述制备方法制备。