1.一种功率器件保护芯片，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；

第二导电类型的第一外延层，生长于所述衬底上表面；

第一导电类型的第二外延层，形成于所述第一外延层上表面；

第一沟槽，贯穿所述第二外延层并延伸至所述第一外延层；

交替形成于所述第一沟槽内的第二导电类型的第三外延层以及第一导电类型的第四外延层，所述第三外延层至少为两个且所述第一沟槽底部的外延层为第三外延层，其中，所述衬底的掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度，所述第二外延层的掺杂浓度与所述第四外延层的掺杂浓度相同，所述第一外延层的掺杂浓度与所述第三外延层的掺杂浓度相同，且所述第一外延层的掺杂浓度和所述第三外延层的掺杂浓度均高于所述第二外延层的掺杂浓度和所述第四外延层的掺杂浓度；

第一介质层，形成于所述第一沟槽侧壁；

第二沟槽，贯穿所述衬底以及所述第一外延层并与所述第一沟槽连接；

多晶硅层，形成于所述第二沟槽内且一端与所述第三外延层连接；

第一电极，形成于所述第二外延层的上表面；

第二电极，形成于所述衬底的下表面并分别与所述衬底和所述多晶硅层连接。

2.根据权利要求1所述的功率器件保护芯片，其特征在于，所述第三外延层的数量为两个，所述第四外延层的数量为一个，所述第四外延层形成于两个所述第三外延层的中间，与所述第一电极连接的外延层为第三外延层。

3.根据权利要求1所述的功率器件保护芯片，其特征在于，所述第三外延层的数量为两个，所述第四外延层的数量为两个，与所述第一电极连接的外延层为第四外延层。

4.一种功率器件保护芯片的制作方法，其包括：提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底上表面生长第二导电类型的第一外延层；

在所述第一外延层上表面形成第一导电类型的第二外延层；

形成贯穿所述第二外延层并延伸至所述第一外延层的第一沟槽；

在所述第一沟槽内交替形成第二导电类型的第三外延层以及第四导电类型的第四外延层，所述第三外延层至少为两个且所述第一沟槽底部的外延层为第三外延层，其中，所述衬底的掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度，所述第二外延层的掺杂浓度与所述第四外延层的掺杂浓度相同，所述第一外延层的掺杂浓度与所述第三外延层的掺杂浓度相同，且所述第一外延层的掺杂浓度和所述第三外延层的掺杂浓度均高于所述第二外延层的掺杂浓度和所述第四外延层的掺杂浓度；

在所述第一沟槽的侧壁形成第一介质层；

形成贯穿所述衬底和所述第一外延层并与所述第一沟槽连接的第二沟槽；

在所述第二沟槽内形成多晶硅层，且所述多晶硅层的一端与所述第三外延层连接；

在所述第二外延层上表面形成第一电极；

在所述衬底的下表面形成与分别与所述衬底和所述多晶硅层连接的第二电极。

5.根据权利要求4所述的一种功率器件保护芯片的制作方法，其特征在于，所述第三外延层的数量为两个，所述第四外延层的数量为一个，所述第四外延层形成于两个所述第三外延层的中间，与所述第一电极连接的外延层为第三外延层。

6.根据权利要求4所述的一种功率器件保护芯片的制作方法，其特征在于，所述第三外延层的数量为两个，所述第四外延层的数量为两个，与所述第一电极连接的外延层为第四外延层。