1.TaN/BiVO4异质结复合材料，其特征在于，所述的TaN/BiVO4异质结复合材料是采用浸渍的方法将氮化钽负载在钒酸铋上形成的异质结构的复合材料。

2.TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)制备钒酸铋基底：于含有硝酸铋、碘化钾和对苯醌的电沉积溶液中，采用三电极体系，在导电载体FTO上沉积一层BiOI膜，水洗，氮气吹干后，于BiOI膜上均匀滴加乙酰丙酮氧矾的DMSO溶液后，于450℃保温2h，冷却至室温后，放入无机碱溶液中浸泡30min，取出，用水冲洗，氮气吹干，得钒酸铋基底；

2)制备TaN/BiVO4异质结复合材料：将钒酸铋基底浸入氮化钽水溶胶中，60℃保持30-

60min后，置于马弗炉中500℃煅烧2h。

3.根据权利要求2所述的TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述的电沉积溶液的制备方法是：取适量去离子水，用硝酸调节其pH到1.7，加入硝酸铋和碘化钾，充分溶解后，加入对苯醌的乙醇溶液，充分搅拌，制成电沉积溶液。

4.根据权利要求2所述的TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1)中，采用三电极体系，沉积条件为：外加-0.1V vs Ag/AgCl的偏压沉积5分钟。

5.根据权利要求2所述的TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述的无机碱为氢氧化钠或氢氧化钾。

6.根据权利要求2所述的TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述的氮化钽的制备方法是：在氨气的条件下，将氧化钽于500℃下煅烧4h，形成氮化钽。

7.根据权利要求2所述的TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述的氮化钽水溶胶的制备方法是：取氮化钽溶解于水中，超声，形成氮化钽水溶胶。

8.根据权利要求7所述的TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，氮化钽与水的料液比为：1g：(10-15)mL。

9.权利要求1所述的TaN/BiVO4异质结复合材料作为修饰电极在光催化分解水制氢中的应用。