1.超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管，包括硅衬底(1)和设置于硅衬底(1)和埋氧(18)上方的漂移区(2)、沟道区(3)、欧姆接触重掺杂区(4)、阴极(5)、栅极介质(8)、阳极引出线(10)、栅极(11)、阴极引出线(12)、阳极(13)，其特征在于，漂移区(2)在阳极(13)与沟道区(3)之间的部分的上表面，设置有电场加强单元(20)，所述电场加强单元(20)用于产生一个从阳极指向电场加强单元下表面的电场；

电场加强单元(20)通过绝缘介质(6)与漂移区(2)隔离。

2.如权利要求1所述的超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述电场单元(20)包括：高阻导电区(7)，

与高阻导电区(7)连接，且处于高阻导电区(7)靠近阳极(13)的一侧的加速栅极重掺杂区(15)，与高阻导电区(7)连接，且处于高阻导电区(7)靠近沟道区(3)一侧的接地掺杂区(16)，与加速栅极重掺杂区(15)连接的加速栅极(9)，与接地掺杂区(16)连接的接地电极(17)。

3.如权利要求2所述的超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述加速栅极重掺杂区(15)的材质为N+型材料，接地掺杂区(16)的材质为P型材料。

4.如权利要求2所述的超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述加速栅极重掺杂区(15)在漂移区(2)的上表面所在平面上的投影与阳极(13)在漂移区(2)上表面所在平面上的投影有重合或者相切。

5.如权利要求2所述的超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，接地掺杂区(16)在漂移区(2)的上表面所在平面上的投影与沟道区(3)在漂移区(2)上表面所在平面上的投影有重合或者相切。

6.如权利要求1所述的超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述电场加强单元(20)嵌入绝缘介质(6)内，绝缘介质(6)将电场加强单元(20)与晶体管的其他部分隔离。