1.波长选择性响应的光电探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)采用石英玻璃为透明基底；

2)对清洗后的透明基底进行紫外‑臭氧处理；

3)在透明基底上进行微/纳米球自组装排列；

4)对微/纳米球自组装排列进行反应离子束刻蚀，使微/纳米球自组装排列变成稀疏微/纳米球阵列；

5)采用电子束蒸镀技术在稀疏微/纳米球阵列表面镀金属薄膜；

6)去除稀疏微/纳米球阵列，得到纳米孔图案化金属薄膜层；

7)在纳米孔图案化金属薄膜层上沉积光敏半导体材料层；

8)在光敏半导体材料层表面蒸镀、溅射或涂覆致密金属薄膜层；

9)分别在纳米孔图案化金属薄膜层和致密金属薄膜层上引出导线，作为器件的两个引线端；

10)涂覆绝缘保护层，将致密金属薄膜层及器件的侧壁完全包覆好，露出两个引线端与未被纳米孔图案化金薄膜覆盖的透明基底的表面。

2.根据权利要求1所述的波长选择性响应的光电探测器的制备方法，其特征在于：所述的纳米孔图案化金属薄膜层沉积于透明基底，并呈周期性排列分布；所述的光敏半导体材料层包括：单一的n型掺杂半导体层、单一的p型掺杂半导体层、构筑成p‑n结型半导体层、构筑成n‑p结型半导体层之一；所述的致密金属薄膜层与光敏半导体材料层形成欧姆接触；当光敏半导体材料层为单一的n型掺杂半导体层或单一的p型掺杂半导体层时，所述的纳米孔图案化金属薄膜层与光敏半导体材料层形成肖特基接触；当光敏半导体材料层为构筑成p‑n结型半导体层或构筑成n‑p结型半导体层，所述的纳米孔图案化金属薄膜层与光敏半导体材料层形成欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的波长选择性响应的光电探测器的制备方法，其特征在于：纳米孔图案化金属薄膜层与致密金属薄膜层形成法布里‑珀罗谐振腔。