1.室温原位控制合成碘铋铜的方法，其特征在于：将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在惰性气氛、密封条件下原位、20℃～35℃反应6h～48h制得碘铋铜半导体薄膜，金属铜单质和铋单质的厚度分别为10～100nm；所述金属铋铜合金薄膜的厚度为40～100nm，纳米金属铋铜合金薄膜中铋铜的摩尔质量比为1:1 3:1。

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2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料或者具有铋铜合金薄膜的基底材料是在基底表面先溅射一层单质金属，再在其表面继续溅射另一层单质金属材料或者在基底上直接溅射铋铜合金，分别得到。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：溅射方法为直流磁控溅射，铋铜合金靶材中铋:铜的摩尔质量比为1:1 3:1。

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4.室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件的制备方法，其特征在于：所述室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件包括基底层、CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层和位于共混层上的金属电极层，制备方法包括；

1）按照权利要求1所述的方法制备获得CuBiI4薄膜；

2）把步骤1）中生成的样品在通有纯氮气的手套箱中旋涂Spiro‑OMeTAD溶液；

3）步骤2)完成后，蒸镀一层金属电极，得到太阳能电池器件。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层的制备为：按照权利要求1所述的方法制备获得CuBiI4薄膜，将CuBiI4薄膜在通有纯氮气的手套箱中旋涂Spiro‑OMeTAD溶液，获得CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述的基底层为ITO玻璃；

所述的金属电极层为Au电极层，通过在CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层上利用真空蒸镀技术在其表面蒸镀形成。