1.一种航空同种IC10单晶高温合金焊接方法，其特征在于，所述焊接方法包括：对IC10单晶高温合金的对接面进行第一次处理，并将第一次处理后的IC10单晶高温合金放置在真空焊接室内装夹固定；

关闭所述真空焊接室并抽真空，待所述真空焊接室达到所要求的真空度时，通过电子束送丝系统，对所述第一次处理后的IC10单晶高温合金的对接面同时进行送丝与增材处理，完成单层单道增材后，冷却取出增材后的IC10单晶高温合金；增材的材料为CH4169；

对所述增材后的IC10单晶高温合金的增材层进行第二次处理，并将第二次处理后的IC10单晶高温合金的增材层与未增材且经过第一次处理的IC10单晶高温合金的对接面紧配合的固定在所述真空焊接室的装夹内；所述增材层的厚度为0.1～1mm；

再次关闭所述真空焊接室并抽真空，待所述真空焊接室达到所要求的真空度时，对所述第二次处理后的IC10单晶高温合金的增材层与未增材且经过第一次处理的IC10单晶高温合金的对接面进行电子束对接处理。

2.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述对IC10单晶高温合金的对接面进行第一次处理，具体包括：对IC10单晶高温合金的对接面进行磨光处理；

对磨光处理后的IC10单晶高温合金的对接面进行去污处理。

3.根据权利要求2所述的焊接方法，其特征在于，所述对磨光处理后的IC10单晶高温合金的对接面进行去污处理，具体包括：选用石油醚对磨光处理后的IC10单晶高温合金的对接面进行除油处理；

对除油处理后的IC10单晶高温合金的对接面采用酒精擦洗。

4.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述关闭所述真空焊接室后抽真空时所要求的真空度与再次关闭所述真空焊接室后抽真空时所要求的真空度均为1×10-3MPa。

5.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述送丝与增材的工艺参数为：加速电压60KV，焊接电流8mA，聚焦电流503A，焊接速度600mm/min，送丝速度20mm/s。

6.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述冷却的时间为20min。

7.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述对所述增材后的IC10单晶高温合金的增材层进行第二次处理，具体包括：对所述增材后的IC10单晶高温合金的增材层进行铣床铣削处理，保证增材层的厚度与IC10单晶高温合金的厚度一致；

对铣床铣削处理后的IC10单晶高温合金的增材层进行去污处理。

8.根据权利要求2或者7所述的焊接方法，其特征在于，所述去污处理是在焊接前15分钟-1小时内进行。

9.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，在对所述第二次处理后的IC10单晶高温合金的增材层与未增材且经过第一次处理的IC10单晶高温合金的对接面进行电子束对接处理之前，所述焊接方法还包括：对所述第二次处理后的IC10单晶高温合金的增材层与未增材且经过第一次处理的IC10单晶高温合金的对接面进行定位焊接处理。

10.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述电子束焊接的工艺参数为：加速电压60KV，焊接电流18mA，聚焦电流503mA，焊接速度1600mm/min。