1.一种基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述器件包括三层结构：顶电极、GeTe薄膜介质层和底电极。

2.根据权利要求1所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述顶电极由W制成，所述顶电极的厚度为50～500nm，形状为圆形或者矩形，直径或边长为10nm～50μm。

3.根据权利要求1所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述GeTe薄膜介质层厚度为5～200nm。

4.根据权利要求3所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述GeTe薄膜介质层形状为圆形或者矩形，直径或边长为10nm～50μm。

5.根据权利要求1所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述底电极由FTO、ITO、ZTO、TaN、或TiN制成，所述底电极的厚度为50～500nm，形状为圆形或者矩形，直径或边长为

10nm～50μm。

6.根据权利要求1所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：实现常规阻变功能时，器件的操作电流限制范围为10μA～5mA。

7.根据权利要求1所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：实现互补型阻变功能时，器件的操作电流限制范围为5mA～100mA。

8.一种制备权利要求1～7任一项所述的基于GeTe的双功能器件的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

在基底上制备所述底电极；在底电极上表面制备GeTe薄膜介质层；在GeTe薄膜介质层上表面镀上顶电极。

9.根据权利要求8所述的基于GeTe的双功能器件的方法，其特征在于：所述方法具体采用磁控溅射的方法在底电极FTO、ITO、ZTO、TaN、或TiN上表面制备GeTe薄膜介质层，溅射靶材为GeTe靶，采用射频溅射，衬底温度为300K，反应气体为氩气，控制真空室内的气压为

4Torr，射频溅射功率为120W。

10.根据权利要求8所述的基于GeTe的双功能器件的方法，其特征在于：所述方法具体采用磁控溅射的方法在GeTe薄膜介质层上表面制备W顶层导电电极，溅射靶材为W靶，采用直流溅射，衬底温度为300K，反应气体为氩气，控制真空室内的气压为4Torr，直流溅射功率为100W。