1.一种GST(GeTe/Sb2Te3)量子阱热电薄膜，其特征在于：以纯度为99.99％的GeTe和Sb2Te3靶材为原料，采用磁控交替溅射的方法，在Si片和石英衬底上制备得到，薄膜化学式为(GeTe)x(Sb2Te3)1‑x，(0.5＜x＜1)。

2.根据权利要求1所述的GST(GeTe/Sb2Te3)量子阱热电薄膜，其特征在于：tSb2Te3/tGeTe亚层膜厚比率的范围应控制在1∶1～1∶5。

3.根据权利要求1所述的GST(GeTe/Sb2Te3)量子阱热电薄膜，其特征在于：GeTe和Sb2Te3的膜厚分别为5～20和3～7nm。

4.根据权利要求1所述的GST(GeTe/Sb2Te3)量子阱热电薄膜，其特征在于：制备过程中的退火温度控制在300～500℃。

5.根据权利要求1所述的GST(GeTe/Sb2Te3)量子阱热电薄膜，其特征在于：分为单周期和多周期。

6.权利要求1～5任一项所述的GST(GeTe/Sb2Te3)量子阱热电薄膜的制备方法，其特征在于：包括步骤如下：

(1)采用磁控溅射工艺制备GST(GeTe/Sb2Te3)量子阱，选用纯度为99.95％的GeTe靶材和99.95％的Sb2Te3靶材作为原料；

(2)按照GST(GeTe/Sb2Te3)热电量子阱膜厚的选择设置磁控溅射参数；

(3)采用交替沉积磁控溅射制备GST(GeTe/Sb2Te3)热电量子阱；

(4)确定亚层膜厚比率和分层膜厚选择；

(5)将共沉积好的薄膜进行热处理，得到GST(GeTe/Sb2Te3)热电量子阱。

7.根据权利要求6所述的GST(GeTe/Sb2Te3)量子阱热电薄膜的制备方法，其特征在于：溅射系统Ar气流量范围为10～30sccm。

8.根据权利要求6所述的GST(GeTe/Sb2Te3)量子阱热电薄膜的制备方法，其特征在于：‑5

溅射系统本底真空度的范围为5.5～9.5×10 Pa，溅射气压控制在0.3～0.8Pa。

9.权利要求1～5任一项所述的GST(GeTe/Sb2Te3)量子阱热电薄膜应用于微型热电器件。