1.一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET，其特征在于，包括第二导电类型掺杂的源区(21)、第一导电类型掺杂的基区(22)和半绝缘区(222)，第二导电类型掺杂的源区(21)位于半绝缘区(222)顶部，第一导电类型掺杂的基区(22)位于第二导电类型掺杂的源区(21)和半绝缘区(222)一侧；第一导电类型掺杂的基区(22)的深度与第二导电类型掺杂的源区(21)和半绝缘区(222)高度之和相等；第二导电类型掺杂的源区(21)的宽度和半绝缘区(222)的宽度一致。

2.根据权利要求1所述的一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET，其特征在于，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；或者第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

3.根据权利要求1所述的一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET，其特征在于，第一导电类型掺杂的基区(22)和第二导电类型掺杂的源区(21)宽度比为1：1‑3。

4.根据权利要求1‑3任一项所述的一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET，其特征在于，所述的MOSFET采用体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅半导体材料制作。

5.一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET的制备方法，其特征在于：A、将第一导电类型的杂质植入到第二导电类型的漂移层(12)内；

B、在第一导电类型掺杂的基区(22)外侧离子注入第二导电类型的杂质元素，形成电中性区域；

C、在形成电中性区域上继续注入两性杂质元素，形成半绝缘区(222)；

D、在半绝缘区(222)上注入第二导电类型的杂质，形成第二导电类型掺杂的源区(21)；

E、在沟道区域上方生长氧化层，形成绝缘栅(11)；

F、形成MOSFET的源极(31)、栅极(32)、漏极(33)三个金属电极。

6.根据权利要求5所述的一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET的制备方法，其特征在于，步骤B中注入第二导电类型的杂质元素浓度与深度与步骤A中离子注入第一导电类型的杂质保持一致。

7.根据权利要求5所述的一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET的制备方法，其特征在于，步骤A和步骤B中杂质的注入是多次离子注入，形成箱式掺杂分布。

8.根据权利要求5所述的一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET的制备方法，其特征在于，第

16 ‑3 17 ‑3

一导电类型掺杂的基区(22)的掺杂浓度为5×10 cm ～5×10 cm 之间。