1.一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）SOI片和Ge片分别用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗10 15 min，去除基底表面~吸附颗粒物和有机物；

2）经上述1）步骤清洗完的Ge片采用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2~4 min，去离子水冲洗10 15次；

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3）经上述2）步骤冲洗完的Ge片采用PECVD生长90 nm的SiO2保护层；

4）经上述3）步骤生长完SiO2保护层的Ge片采用离子注入机进行H+注入；

5）经上述4）步骤离子注入完的Ge片采用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡10 min去除SiO2保护层，去离子水冲洗10~15次；

6）经上述5）步骤冲洗完的Ge片分别用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗10 15 min，~去除基底表面吸附颗粒物和有机物；

7）经上述6）步骤清洗完的Ge片采用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2 4 min，去离~子水冲洗10 15次；

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8）经上述1）步骤清洗完的SOI片，先用体积配比为H2SO4:H2O2 =4:1的溶液煮沸10~15 min，去离子水冲洗10~15次，再将SOI片用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2~4 min，去离子水冲洗10 15次；

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9）经上述8）步骤处理完的SOI片，先用体积配比为NH4OH:H2O2:H2O=1:1:4的溶液煮沸10~

15 min，去离子水冲洗10~15次，再将SOI片用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2~4 min，去离子水冲洗10 15次；

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10）经上述9）步骤处理完的SOI片，先用体积配比为HCl:H2O2:H2O=1:1:4的溶液煮沸10~

15 min，去离子水冲洗10~15次，再将SOI片用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2~4 min，去离子水冲洗10 15次；

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11）经上述10）步骤处理完的SOI片用甩干机甩干后放入磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10-4 Pa，向溅射室内充入纯度为5N的Ar气体，调节溅射室内气压；

12）室温下，在SOI片表面溅射非晶Ge薄膜，通过控制磁控溅射靶位电流和样品托转速来调节溅射非晶Ge薄膜的速率；

13）经上述12）步骤溅射完非晶Ge薄膜后，在非晶Ge薄膜上沉积SiO2保护层并对非晶Ge薄膜对进行高温热处理，将非晶Ge薄膜转化成多晶Ge薄膜；

14）经上述13）步骤热处理完的SOI片采用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡10 min，去除表面SiO2保护层，去离子水冲洗10~15次；

15）经上述14）步骤处理完的SOI片采用手动化学机械抛光对多晶Ge薄膜进行抛光；

16）经上述15）步骤抛光完的SOI片分别采用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗10 15 ~min，去离子水冲洗10 15遍，去除多晶Ge表面吸附颗粒物；

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17）经上述16）步骤冲洗完的SOI片采用体积配比为HF:H2O=1:20的溶液浸泡2~4 min，去离子水冲洗10 15次；

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18）经上述7）步骤清洗完的Ge片和17）步骤处理完的SOI片采用甩干机甩干后贴合在一起；

19）经上述18）步骤贴合后的Ge/SOI贴合片放入退火炉中进行低温热退火， 实现从Ge片上剥离一层Ge薄膜下来覆盖在SOI基多晶Ge上；

20）经上述19）步骤剥离后的SOI片放置于PECVD真空腔内在Ge薄膜表面生长一层100 nm SiO2作为退火保护层；

21）经上述20）步骤生长完SiO2的SOI片放置于N2气氛围内进行短时间高温热退火。