1.一种硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)对n型硅片进行制绒处理，然后在酸性溶液中浸泡以去除n型硅片表面的自然氧化硅层；

(2)对所述n型硅片进行钝化处理：在所述n型硅片的上表面旋涂含有正丙醇钇和正丙醇铪的混合溶液，并进行干燥处理，接着在所述n型硅片的下表面旋涂上述含有正丙醇钇和正丙醇铪的混合溶液，然后进行第一次退火处理，在所述n型硅片的上下表面均形成钝化薄膜；

(3)氯化锶界面修饰薄膜的制备：在步骤(2)得到的n型硅片的上表面旋涂含有氯化锶的水溶液，其中所述含有氯化锶的水溶液中氯化锶的浓度为0.03‑0.09mg/ml,然后进行第二次退火处理，在所述n型硅片的上表面形成氯化锶界面修饰薄膜；

(4)Spiro‑OMeTAD复合层的制备：在步骤(3)得到的n型硅片的上表面旋涂含有CuInS2量子点和Spiro‑OMeTAD的氯苯溶液，其中所述CuInS2量子点的浓度为0.5‑1mg/ml，所述Spiro‑OMeTAD的浓度为10‑15mg/ml，然后进行第三次退火处理，形成所述Spiro‑OMeTAD复合层；

(5)PEDOT:PSS复合层的制备：在步骤(4)得到的n型硅片的上表面旋涂含有硫化亚铜纳米颗粒和PEDOT:PSS的混合溶液，其中所述硫化亚铜纳米颗粒的浓度为0.3‑0.9mg/ml，然后进行第四次退火处理，形成所述PEDOT:PSS复合层；

(6)Bphen界面层的制备：在步骤(5)得到的n型硅片的下表面蒸镀Bphen，以形成所述Bphen界面层；

(7)正面栅电极的制备；

(8)背面电极的制备。

2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)中，所述含有正丙醇钇和正丙醇铪的混合溶液中所述正丙醇钇的浓度为0.3‑0.6mg/ml，所述正丙醇铪的浓度为0.5‑1mg/ml，旋涂的转速均为4000‑5000转/分钟，所述第一次退火处理的退火温度为200‑300℃，所述第一次退火处理的退火时间为20‑30分钟。

3.根据权利要求1所述的硅异 质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，旋涂的转速为2000‑3000转/分钟，所述第二次退火处理的退火温度为200‑250℃，所述第二次退火处理的退火时间为10‑20分钟。

4.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，旋涂的转速为3000‑4000转/分钟，所述CuInS2量子点的粒径为5‑10纳米，所述第三次退火处理的退火温度为100‑120℃，所述第三次退火处理的退火时间为15‑25分钟。

5.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(5)中，旋涂的转速为2000‑3000转/分钟，所述第四次退火处理的退火温度为120‑130℃，所述第四次退火处理的退火时间为20‑30分钟，所述PEDOT:PSS复合层的厚度为30‑50纳米，所述硫化亚铜纳米颗粒的粒径为3‑6纳米。

6.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(6)中，蒸镀Bphen的蒸镀速率为1‑3埃米/秒，蒸镀Bphen的时间为3‑8秒。

7.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(7)中，通过PVD法形成所述正面栅电极，所述正面栅电极为银栅电极，所述正面栅电极的厚度为100‑200纳米。

8.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(8)中通过PVD法形成所述背面电极，所述背面电极的材质为铝，所述背面电极的厚度为

200‑400纳米。

9.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述硅异质结太阳能电池为采用权利要求

1‑8任一项所述的方法制备形成的硅异质结太阳能电池。