1.一种硅异质结太阳能电池界面处理剂，其特征在于，其组分按重量百分比，包括：

1％～20％的季铵盐，1％～10％的有机氧化剂，50％～90％的有机溶剂，其余为去离子水。

2.根据权利要求1所述的处理剂，其特征在于，所述有机溶剂在所述处理剂使用前加入混合。

3.根据权利要求1所述的处理剂，其特征在于，

所述季铵盐，包括四甲基氯化铵，四甲基溴化铵，四乙基溴化铵，N-甲基-N乙基吡咯烷卤化物，N-甲基-N乙基吡咯烷卤化物，N-甲基-N乙基吗啉卤化物的任一或任意组合；

所述有机氧化剂，包括过甲酸、间氯过氧苯甲酸，双叔丁基过氧化物的任一或任意组合；

所述有机溶剂，包括乙醇、丙酮、丙三醇、聚乙二醇、异丙醇的任一或任意组合。

4.根据权利要求1所述的处理剂，其特征在于，其组分按重量百分比，包括：5％～8％的四甲基氯化铵，1％～3％的过甲酸，40％～60％的去离子水，以及使用前最后加入的40％～

60％的乙醇。

5.一种硅异质结太阳能电池界面处理方法，其特征在于，包括：

1)采用乙酸、双氧水、水的混合溶液清洗太阳能硅片，去离子水冲洗；

2)采用权利要求1至4任一所述的处理剂清洗经步骤1)处理所得太阳能硅片，去离子水冲洗。

6.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述步骤2)完成之后还包括：

3)采用次氯酸钠、双氧水、水的混合溶液清洗经所述步骤2)处理所得太阳能硅片，去离子水冲洗。

7.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述步骤1)中其组分按重量百分比，乙酸为10％～30％，双氧水为0.5％～2％，其余为去离子水。

8.根据权利要求6所述的处理方法，其特征在于，所述步骤3)中其组分按重量百分比，次氯酸钠为5％～10％，双氧水为0.5％～2％，其余为去离子水。

9.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述步骤2)中将太阳能硅片浸入所述处理剂中，于70～80℃的温度下清洗10～15分钟。

10.根据权利要求9所述的处理方法，其特征在于，清洗后还包括降温过程，当温度降至

30～40℃，超声波清洗10～15分钟。