1.一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池，其特征在于，包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳减反结构，所述InGaP/InGaAs/Ge三结电池中包括Ge底电池、InGaAs中电池和InGaP顶电池，Ge底电池由p-Ge衬底和其上方的n-Ge薄膜共同构成；在Ge底电池和InGaAs中电池之间由下至上依次分布的InGaP第一异质层、n-InGaAs缓冲层和p-GaAs/n-GaAs隧道结；在InGaAs中电池和InGaP顶电池之间设有p-AlGaAs/n-InGaP隧道结；InGaP顶电池上方设有GaAs层，GaAs层通过GaAs接触层上表面引出Ni/Cr/Au金属电极，在GaAs接触层周边GaAs层上表面设有复合微纳减反结构；

所述复合微纳减反结构为周期性排布六方结构，每一个重复单元由凸起或凹陷的椭圆柱与其上的圆锥共同构成；周期宽度为200～1200nm，长度为宽度的 倍；

所述椭圆柱短轴长度与圆锥底面直径相等，短轴长度与周期宽度的比例为0.1～0.7；

所述椭圆柱长轴长度与周期长度的比例为0.1～0.7；所述椭圆柱高度为100～500nm；所述圆锥顶角为30°～150°；

复合微纳减反结构的反射率降低幅度大于20倍。

2.根据权利要求1所述的一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池，其特征在于，所述InGaP顶电池包括由上至下依次分布的n-AlInP窗口、n-InGaP发射极、p-InGaP基极和p-AlInP BSF层。

3.根据权利要求1所述的一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池，其特征在于，所述InGaAs中电池包括由上至下依次分布的n-InGaP窗口、n-InGaAs发射极、p-InGaAs基极和p-InGaP BSF层。

4.根据权利要求1所述的一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池，其特征在于，所述n-Ge薄膜带隙宽度为0.65eV；Ge底电池的pn结是在p型Ge衬底上生长的第一层外延层的过程时，V族原子扩散到Ge衬底中自动形成的。

5.根据权利要求4所述的一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池，其特征在于，所述n-InGaAs缓冲层和InGaAs中电池n-InGaP窗口的上表面均为条栅结构，宽度为100～1000nm，长度为5～15mm，深度80～100nm，栅间距为200～2000nm。

6.一种权利要求1-5任一项所述的具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)选择p型Ge衬底，抛光，清洗，采用MOVPE金属有机化合物气相外延的方法在Ge表面淀积P原子，Ge衬底加热到580℃～750℃，将含有P的气体引入到Ge衬底表面，淀积在表面的P原子逐渐扩散到Ge衬底内部，形成n-Ge薄膜，时间持续1h小时；

2)采用MOVPE的方法在Ge表面继续引入含有In元素和Ga元素的气体，同含有P元素的气体一起，生长InGaP第一异质层；

3)采用MOVPE的方法生长n-InGaAs缓冲层；

4)采用纳米软压印法，在n-InGaAs缓冲层表面制备条栅结构；

5)采用MOVPE的方法按顺序生长p-GaAs/n-GaAs隧道结、p-InGaP BSF层、p-InGaAs基极、n-InGaAs发射极和n-InGaP窗口；

6)采用纳米软压印法，在n-InGaP窗口表面制备条栅结构；

7)采用MOVPE的方法按顺序生长p-AlGaAs/n-InGaP隧道结、p-AlInP BSF、p-InGaP基极、n-InGaP发射极、n-AlInP窗口和GaAs层；

8)采用纳米软压印法，在GaAs层表面制备复合微纳减反结构；

9)采用电子束蒸发法在GaAs层和p-Ge层上制备出Ni/Cr/Au金属电极，并在大气中500～600℃退火8～12min，即完成具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池的制作；

制备条栅结构和复合微纳减反结构的工艺流程如下：

1)SU-8甩胶在500～600rpm转速下25～35s，再2500～3500rpm转速下5～10min；后50～

70℃下烘10～20min，再85～100℃下烘干20～30min；UV光固化30～40s；PDMS软印章压印30～40min；

2)揭下印章，用体积比为36-38％HCl:H2O＝1:2盐酸溶液刻蚀1min；

3)用上述步骤2)的盐酸溶液刻蚀5～10min；

4)去Su-8余胶，即完成条栅结构和复合微纳减反结构的制作。

7.根据权利要求6所述的具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述InGaAs缓冲层中In的含量为1％，使Ge与GaAs的晶格失配由0.08％降至更低，这时InGaAs与Ge精确晶格匹配，不产生失配位错。