1.一种低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料，其特征在于，由以下质量比组分原料烧结制成：非晶SiO2粉末︰MgF2粉末︰MnCO3粉末＝1︰(0.05-x)︰x，0.015≤x≤0.03，所述低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的主物相是晶态SiO2。

2.根据权利要求1所述的低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的介电常数为2.6～3.0，品质因数为32540～56182GHz，谐振频率温度系数为-23～-37ppm/℃。

3.根据权利要求1所述的低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述非晶SiO2粉末的纯度大于99％，结晶度为0～10％，粒度为700～800nm。

4.根据权利要求1所述的低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述MgF2粉末和MnCO3粉末为分析纯。

5.一种低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、按比例混合MgF2粉末和MnCO3粉末，并进行加热保温处理得到复合助烧剂粉末；S2、按比例混合复合助烧剂粉末与非晶SiO2粉末进行湿法球磨得到混合物；S3、烘干步骤S2获得的混合物并造粒压制成坯料，将坯料进行烧结得到陶瓷材料，各原料粉末的质量比为非晶SiO2粉末︰MgF2粉末︰MnCO3粉末＝1︰(0.05-x)︰x，0.015≤x≤0.03。

6.根据权利要求5所述的低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S1的混合MgF2粉末和MnCO3粉末是采用干法卧式滚磨，滚磨时间3～5h。

7.根据权利要求5所述的低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S1的加热保温处理为加热至525～675℃，保温时间为10～30min，保温结束后随炉冷却。

8.根据权利要求5所述的低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2是混合复合助烧剂粉末以乙醇为介质进行湿法球磨1～2h，然后添加非晶SiO2粉末进行湿法球磨8～12h。

9.根据权利要求5所述的低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S3造粒是以烘干步骤S2获得的混合物质量的2.5～5％添加粘结剂进行造粒，所述粘结剂为聚乙烯醇或石蜡，占所述粘结剂总质量的40～60％的粘结剂与烘干步骤S2获得的混合物混合，其余粘结剂在造粒过程中缓慢逐滴加入。

10.根据权利要求5所述的低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述烧结时烧成温度为1080～1180℃，保温时间为3～5h，保温结束后以1～2℃/min的降温速率冷却至800～850℃，然后随炉冷却。