1.一种弥散贵金属微粒的陶瓷涂层的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括以下制备步骤：

1)首先去除钛基合金基体的表面氧化物，然后清洗、干燥；

2)将无水乙醇、饱和氯化钾溶液和前驱体硅酸烷基酯以体积比(100～400)：(100～

400)：(1～100)混合，并以酸液调节混合体系pH值至2.0～6.0，搅拌得到前驱体溶液，以每

2.01～9L前驱体溶液加入1～50g可溶性贵金属化合物的比例向前驱体溶液中加入可溶性贵金属化合物，搅拌至完全溶解得到电沉积液；

3)以经步骤1)处理后的钛基合金基体作为工作电极，以铂片或石墨作为对电极，以步骤2)所得的电沉积液作为电沉积溶液体系，将工作电极和对电极置于电沉积液中并控制工作电极和对电极保持1～10cm的距离，控制电沉积电压为0.1～-2.0V，沉积时间为5～

30min，沉积完成后将工作电极用去离子水洗三次后于40～150℃缓慢烘干，从而在钛基合金基体表面得到弥散贵金属微粒的陶瓷涂层；

4)将覆盖有弥散贵金属微粒的陶瓷涂层的钛基合金在空气中于600～700℃下热处理

10～60min，即在钛基合金表面制得弥散贵金属微粒的陶瓷涂层；

其中钛基合金基体为含铝钛基合金。

2.根据权利要求1所述的一种弥散贵金属微粒的陶瓷涂层的制备工艺，其特征在于，所述含铝钛基合金为Ti3-Al、Ti-Al、Ti-Al3、Ti-6Al-4V、TiAlNb和Ti-47Al-2Cr-2Nb中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种弥散贵金属微粒的陶瓷涂层的制备工艺，其特征在于，步骤2)所述可溶性贵金属化合物为氯金酸钾、氯金酸钠和四氯金酸中的任意一种或多种混合，或者为氯铂酸钾、氯铂酸钠和六氯铂酸中的任意一种或多种混合。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种弥散贵金属微粒的陶瓷涂层的制备工艺，其特征在于，步骤2)所述的前驱体硅酸烷基酯为正硅酸乙酯和正硅酸甲酯中的任意一种或两种。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种弥散贵金属微粒的陶瓷涂层的制备工艺，其特征在于，步骤2)电沉积过程中保持电沉积液所含氯化钾浓度为0.2～0.4mol/L。

6.根据权利要求1或2或3所述的一种弥散贵金属微粒的陶瓷涂层的制备工艺，其特征在于，步骤3)所述电沉积过程中保持电沉积电压为0.1～-0.5V或-0.6～-1.2V。

7.根据权利要求1或2或3所述的一种弥散贵金属微粒的陶瓷涂层的制备工艺，其特征在于，步骤3)中所述电沉积时间为10～20min。

8.一种如权利要求1或2或3所述的弥散贵金属微粒的陶瓷涂层，其特征在于，所述涂层在微纳米非金属氧化物中掺杂有贵金属微粒。

9.根据权利要求8所述的一种弥散贵金属微粒的陶瓷涂层，其特征在于，所述非金属氧化物为二氧化硅，贵金属微粒为金或铂及其氧化物中的任意一种或多种。

10.根据权利要求8所述的一种弥散贵金属微粒的陶瓷涂层，其特征在于，所述涂层用于含铝钛基合金基体的包覆。