1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：

衬底，包括形成在所述衬底中的多个辐射感测单元；

第一电介质层，形成在所述衬底上，其中所述第一电介质层为单层或者多层结构；

多个滤色器，形成在所述第一电介质层上并且对应地设置在所述多个辐射感测单元上方；以及第一分隔部，形成在所述多个滤色器之间以用于防止辐射串扰，其中，所述第一分隔部从基准面起向上延伸，所述基准面位于所述第一电介质层的上表面和下表面之间。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：形成在所述第一分隔部与所述滤色器之间以及所述第一分隔部的顶部上的第二电介质层。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一分隔部的在所述第一电介质层的上表面以上的部分和所述第一分隔部的在所述第一电介质层的上表面以下的部分在不同的步骤中形成。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第一分隔部的在所述第一电介质层的上表面以上的部分由金属材料构成，并且所述第一分隔部的在所述第一电介质层的上表面以下的部分由能够防止光透过的非金属材料构成。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一电介质层为多层结构，所述基准面位于所述多层结构中的一层与位于该层上的另一层之间的分界面处。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述多层结构中的所述一层与位于该层上的所述另一层分别由具有蚀刻选择性的材料构成。

7.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述多层结构中的所述一层为氮化硅层。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：高K层和/或抗反射层，设置在所述第一电介质层和所述衬底之间。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一分隔部一体地形成。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述第一分隔部包括金属。