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专利号: 2017114695137
申请人: 西安理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-12-30
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,将分散粘合剂聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)分散于无水乙醇中,得到PVP无水乙醇分散液;

步骤2,将CNTs和纳米硅粉加入PVP无水乙醇分散液中,分散均匀并过滤,取滤出的混合粉末干燥;所述CNTs和纳米硅粉的体积比为0.5~10;步骤2中所述分散采用超声分散和机械搅拌同步进行,超声分散时长为0.5~3h,机械搅拌时间为0.5~3h,转速为50~200转/分钟;

步骤3,将混合粉末置于热处理炉中,在真空环境或者惰性气体保护下进行热处理,热处理温度1100~1300℃,热处理时间为1~3h,通过热处理过程中发生的原位反应在CNTs表面合成具有不同结构的纳米SiC。

2.根据权利要求1所述的一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法,其特征在于,所述CNTs是单壁CNTs、多壁CNTs和纳米碳纤维中任意一种或任意组合。

3.根据权利要求1所述的一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法,其特征在于,所述CNTs直径范围是10nm~200nm,长度范围是100nm~1cm;纳米硅粉颗粒直径范围是

20nm~150nm。

4.根据权利要求1所述的一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法,其特征在于,步骤1中所述分散粘合剂PVP的质量为CNTs质量的0.5~30%,无水乙醇的质量为CNTs和纳米硅粉的混合粉末总质量的10~50倍。

5.根据权利要求1所述的一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法,其特征在于,步骤2中所述干燥为真空干燥,真空干燥温度为50~100℃,干燥时间为2~12h。