1.一种炼铜转炉上部用氧化镁-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于先以40～

60wt％的电熔镁砂颗粒、5～25wt％的碳化硅颗粒、6～16wt％的烧结镁砂细粉、5～15wt％的锆英石细粉、4～8wt％的生矾土微粉、3～7wt％的氧化钛细粉、1～3wt％的单质硅细粉和

2～5wt％的氧化镍细粉为原料，再外加所述原料6～10wt％的氧化锆溶胶和1～3wt％的氧化铈微粉，搅拌均匀，成型，干燥，在埋碳气氛和1250～1450℃的条件下保温2～8h，即得氧化镁-碳化硅复合预制材料；然后将所述氧化镁-碳化硅复合预制材料在氯氧化锆溶液中浸渍0.5～3.0h，最后在600～900℃的条件下保温2～6h，即得炼铜转炉上部用氧化镁-碳化硅复合材料；

所述电熔镁砂颗粒的MgO含量﹥98wt％，粒径为0.1～5mm；

所述碳化硅颗粒的SiC含量﹥97wt％，粒径为0.1～3mm；

所述氧化锆溶胶的ZrO2含量为15～30wt％，粒径为20～80nm；

所述氧化钛细粉的TiO2含量﹥95wt％，粒径﹤45μm；

所述单质硅细粉的Si含量﹥98wt％，粒径为﹤75μm。

2.根据权利要求1所述的炼铜转炉上部用氧化镁-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于所述烧结镁砂细粉的MgO含量﹥97wt％，粒径为﹤75μm。

3.根据权利要求1所述的炼铜转炉上部用氧化镁-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于所述锆英石细粉的ZrO2含量﹥65wt％，粒径为﹤45μm。

4.根据权利要求1所述的炼铜转炉上部用氧化镁-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于所述生矾土微粉的Al2O3含量﹥74wt％，粒径﹤5μm。

5.根据权利要求1所述的炼铜转炉上部用氧化镁-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于所述氧化镍细粉的NiO含量﹥98wt％，粒径为﹤45μm。

6.根据权利要求1所述的炼铜转炉上部用氧化镁-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于所述氧化铈微粉的CeO2含量﹥98wt％，粒径为﹤3μm。

7.根据权利要求1所述的炼铜转炉上部用氧化镁-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于所述氯氧化锆溶液的浓度为50～100g/L。

8.一种炼铜转炉上部用氧化镁-碳化硅复合材料，其特征在于所述炼铜转炉上部用氧化镁-碳化硅复合材料根据权利要求1～7项中任一项所述的炼铜转炉上部用氧化镁-碳化硅复合材料的制备方法所制备的炼铜转炉上部用氧化镁-碳化硅复合材料。