1.一种基于In合金的贵金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，确定衬底材料并进行表面清洁处理，然后在真空条件下进行高温除气处理，所述高温除气处理的温度为100～900℃；

步骤二，在真空环境中，采用物理气相沉积在所述衬底上制备In/Pt、In/Au、In/Ag/Pt的双层或三层金属薄膜，所述物理气相沉积过程中，金属源采用相应的圆片状金属靶材，电离化电流为1～15mA，淀积速率为0.1～3nm/s；

步骤三，将所述双层或三层金属薄膜在10-2Pa以下的真空状态下加热，控制温度为300～900℃，所述双层或三层金属薄膜发生固态反浸润反应，实现纳米颗粒的固态自组装结晶生长，充分反应后，在保护气体或真空条件下将所述双层或三层金属薄膜冷却至150℃以下取出，制备得到贵金属纳米颗粒。

2.如权利要求1所述的一种基于In合金的贵金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤一中所述衬底材料为半导体或氧化物。

3.如权利要求1所述的一种基于In合金的贵金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤一中所述衬底材料的表面粗糙度不高于±6nm。

4.如权利要求1所述的一种基于In合金的贵金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤二中所述双层或三层金属薄膜的厚度为0.5nm～300nm。

5.如权利要求1所述的一种基于In合金的贵金属纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤三中所述贵金属纳米颗粒中In质量百分比小于10％。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基于In合金的贵金属纳米颗粒的制备方法制备得到的贵金属纳米颗粒，其特征在于，所述贵金属纳米颗粒的平均直径为5nm～2μm，所述贵金属纳米颗粒的高度为2nm～200nm，所述贵金属纳米颗粒的密度为107～1011/cm2。