1.一种利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于，包含如下步骤：第一步，准备双基片台MPCVD反应装置，单晶金刚石衬底，以及洁净干燥的人体头发；

第二步，将头发绑成头发束，并通过传送装置置于上基片台中心圆孔内，单晶金刚石衬底置于下基片台凹槽内；

第三步，将氢气通入双基片台MPCVD反应装置的反应腔中，利用微波激发气体放电产生等离子体，调节沉积装置的工艺参数，通过传送装置使头发伸入等离子体中并被刻蚀，产生的碳源气体进行单晶金刚石的生长；

第四步，利用激光切除单晶衬底，得到由人体头发为碳源制备的单晶金刚石。

2.如权利要求1所述的利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于：第一步所述的双基片台MPCVD反应装置中，上基片台中心有直径为2～3mm的穿孔，下基片台有放置单晶金刚石的凹槽。

3.如权利要求1所述的利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于：第一步所述的双基片台MPCVD反应装置中，单晶金刚石衬底可以是天然金刚石，也可是CVD金刚石或HPHT金刚石作为衬底。

4.如权利要求1所述的利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于：第一步所述的双基片台MPCVD反应装置中，头发的洁净度在SCP4级以上。

5.如权利要求1所述的利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于：第二步中所述头发束的直径为1.0～2.5mm。

6.如权利要求1所述的利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于：第三步中所述下基片台温度在750～1050℃，上基片台温度在

150～200℃。

7.如权利要求1所述的利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于：第三步中所述通过传送装置使头发以0.06～0.30m/h的速度伸入等离子体中并被刻蚀。