1.一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，首先将硅片进行超声波清洗，然后将清洗后的硅片放入基片台上，基片台位于腔体内，对腔体抽真空至真空度为0.1-10Pa；

第二步，向腔体通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，使氢气和甲烷气体吸收微波能量产生等离子体；

第三步，打开脉冲电源，调节腔体中钼电极和基片台之间的电压，使钼电极和基片台之间产生弧光放电，调节脉冲的时间控制弧光的产生时间；在硅片上引入了钼；

第四步，待反应结束后，关闭脉冲电源，待腔体内腔室冷却后，取出样品，得到碳化钼晶体。

2.根据权利要求1所述的一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于：所述第一步中超声波清洗为用丙酮或乙醇溶剂进行超声波清洗，超声的功率为50W、频率为40KHz。

3.根据权利要求1所述的一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于：所述第二步中，氢气和甲烷的体积配比为30:1-200:1。

4.根据权利要求1所述的一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于：所述第二步中微波等离子体产生的工艺参数如下：氢气流量为：100-400sccm，甲烷流量为：0.5-10sccm，微波功率为800-1200W，工作气压为10-25kPa。

5.根据权利要求1所述的一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于：所述第三步中产生弧光放电的工艺参数如下：钼电极与基片台之间的电压为：300-

600V，产生电弧的时间为0.1-10s，不产生电弧的时间为1-10s,总时间是6h。