利索能及
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专利号: 2017111288675
申请人: 龙岩学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-12-30
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种富含S空缺位的SnS2超薄纳米片的制备方法,其特征在于:将1mmol SnCl4·5H2O和2mmol L-半胱氨酸溶解在30ml乙二醇中,搅拌60min,然后转移到70ml聚四氟乙烯内衬并用钢套拧紧,在220℃下保温24h,自然冷却至室温,收集产品,离心并且用去离子水和乙醇清洗多遍,然后在40℃真空烘箱中保持10h烘干产品,然后研磨成粉末状,即可得富含S空缺位的SnS2超薄纳米片。