1.一种富S缺陷ZnIn2S4/SnSe2欧姆结光催化剂，其特征在于，所述光催化剂中SnSe2原位生长是在富S缺陷ZnIn2S4表面，二者通过Sn‑S化学键结合，其制备方法如下：将SnCl4·5H2O浓度为0.91～2mM的富S缺陷ZnIn2S4分散液及Se浓度为28.86～63.8mM的Se水合肼溶液按体积比为8:1充分混合，于聚四氟乙烯反应釜中在160～200℃下保温3～7h，冷却至室温后，离心出沉淀、依次用去离子水和乙醇依次洗涤、60℃真空干燥得富S缺陷ZnIn2S4/SnSe2欧姆结‑1 ‑1光催化剂，其在可见光照射下，分解水制氢速率达25～29mmol·g ·h ，且在重复使用6次后，产氢速率仅下降4％左右。

2.如权利要求1中所述的一种富S缺陷ZnIn2S4/SnSe2欧姆结光催化剂，其特征在于，SnSe2与富S缺陷ZnIn2S4的质量比为5～11:100。

3.如权利要求1中所述的一种富S缺陷ZnIn2S4/SnSe2欧姆结光催化剂，其特征在于，富S缺陷ZnIn2S4与SnSe2之间的欧姆接触及内建电场促进富S缺陷ZnIn2S4导带上的光生电子转移到SnSe2上，显著提高了富S缺陷ZnIn2S4上光生电荷载流子的分离效率。