1.一种二极管模组的制作方法，其特征在于：所述二极管模组，包括：半导体基底层，具有一表面，该表面包括依次相邻设置的外延层生长区、光波导固定区及光纤接入区，该光纤接入区开设有光纤收容沟槽，该光纤收容沟槽的延伸方向指向该光波导固定区；二极管外延层，形成于该外延层生长区，该二极管外延层包括沿远离该表面依次排列的半导体缓冲层和PN结，该PN结之间形成有多重量子井结构层；及光波导，形成于该光波导固定区，该光波导其中一侧面与该多重量子井结构层一侧面相对；

所述二极管模组的制作方法包括步骤：

提供半导体基底层，该半导体基底层具有一表面，该表面包括依次相邻设置的外延层生长区、光波导固定区及光纤接入区；

在半导体基底层的表面的光纤接入区开设光纤收容沟槽，该光纤收容沟槽的延伸方向指向光波导固定区；

采用外延生长法在该半导体基底层的表面的外延层生长区生长二极管外延层，该二极管外延层包括沿远离该表面依次排列的半导体缓冲层和PN结，该PN结之间形成有多重量子井结构层；

及将光波导形成于该光波导固定区，且使该光波导其中一侧面与该多重量子井结构层一侧面相对，形成激光二极管磊晶模组。

2.如权利要求1所述的二极管模组的制作方法，其特征在于，该将光波导形成于该光波导固定区的方法为外延生长法。

3.如权利要求1所述的二极管模组的制作方法，其特征在于，该半导体缓冲层为N型缓冲层，该PN结包括P型半导体层和N型半导体层，其中该N型半导体层相邻于该N型缓冲层。

4.如权利要求1所述的二极管模组的制作方法，其特征在于，该半导体缓冲层为P型缓冲层，该PN结包括P型半导体层和N型半导体层，其中该P型半导体层相邻于该P型缓冲层。

5.如权利要求1所述的二极管模组的制作方法，其特征在于，该光纤收容沟槽为V型沟槽、或横截面为多边形的沟槽。

6.如权利要求1所述的二极管模组的制作方法，其特征在于，该光波导为薄膜波导。