1.一种晶圆退火处理设备，用于经过离子注入后的晶圆退火，其特征在于，包括：

晶圆存放装置，用于存放待处理晶圆；

预热装置，用于接收所述晶圆存放装置中的所述待处理晶圆，并将其加热至第一温度；

退火腔室，所述退火腔室用于接收所述预热装置中的具有所述第一温度的待处理晶圆，并将其加热至退火温度以对所述待处理晶圆进行退火处理，其中，所述第一温度低于所述退火温度；所述退火腔室为多个，多个所述退火腔室相互独立，所述退火腔室内设置有加热灯泡，所述加热灯泡用于对所述退火腔室进行加热；以及降温装置，位于所述退火腔室与所述晶圆存放装置之间，用于接收所述退火腔室中的具有所述退火温度的待处理晶圆，并将其降温至第二温度，以完成对所述待处理晶圆的退火处理；所述降温装置具有降温腔以及与所述降温腔相连通的气体入口，其中，冷却气体通过所述气体入口进入所述降温腔，以对所述降温腔内的待处理晶圆进行降温；所述降温装置内设置有若干个晶圆支架，每个所述晶圆支架用于支撑单片所述待处理晶圆，所述晶圆支架的数量依据所述待处理晶圆在所述退火腔室中加热至所述退火温度的时间和退火时间，以及所述待处理晶圆在所述降温装置中降温至所述第二温度的时间而设定；

所述预热装置设置于所述晶圆存放装置与所述退火腔室之间且与所述降温装置平行设置。

2.根据权利要求1所述的晶圆退火处理设备，其特征在于，所述退火腔室还可以在将所述待处理晶圆被加热至所述退火温度后，将所述退火腔室内的温度降温至所述第一温度附近。

3.根据权利要求1所述的晶圆退火处理设备，其特征在于，每个所述晶圆支架处设置有温度传感器，用于监测所述晶圆支架上的待处理晶圆的温度。

4.根据权利要求1所述的晶圆退火处理设备，其特征在于，所述晶圆退火处理设备还包括：

第一晶圆转移装置，用于将所述待处理晶圆自所述晶圆存放装置转移至所述预热装置，以及将所述待处理晶圆自所述降温装置转移至所述晶圆存放装置；以及第二晶圆转移装置，用于将所述待处理晶圆自所述预热装置转移至所述退火腔室，以及将所述待处理晶圆自所述退火腔室转移至所述降温装置。

5.根据权利要求4所述的晶圆退火处理设备，其特征在于，所述第一晶圆转移装置以及所述第二晶圆转移装置均为机械手臂。

6.根据权利要求1所述的晶圆退火处理设备，其特征在于，所述预热装置为加热器。

7.根据权利要求6所述的晶圆退火处理设备，其特征在于，所述加热器内设置有若干个晶圆支架，每个所述晶圆支架用于支撑单片所述待处理晶圆，其中，所述晶圆支架的数量依据所述待处理晶圆在所述退火腔室中加热至所述退火温度的时间和退火时间，以及所述待处理晶圆在所述预热装置中升温至所述第一温度的时间而设定。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的晶圆退火处理设备，其特征在于，所述第一温度的范围为200～500℃。

9.一种晶圆退火处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供一如权利要求1～8中任意一项所述的晶圆退火处理设备，并将待处理晶圆放置于所述晶圆存放装置中；

2)将所述待处理晶圆自所述晶圆存放装置转移至所述预热装置，并在所述预热装置内将所述待处理晶圆加热至第一温度；

3)将具有所述第一温度的待处理晶圆自所述预热装置转移至所述退火腔室中，并在所述退火腔室内将所述待处理晶圆加热至退火温度以对所述待处理晶圆进行退火处理，其中，所述第一温度低于所述退火温度；以及

4)将具有所述退火温度的待处理晶圆自所述退火腔室转移至所述降温装置，并在所述降温装置内将所述待处理晶圆降温至第二温度，以完成对所述待处理晶圆的退火处理。

10.根据权利要求9所述的晶圆退火处理方法，其特征在于，步骤4)中，还包括对所述待处理晶圆进行温度监测的步骤。

11.根据权利要求9所述的晶圆退火处理方法，其特征在于，步骤2)中，所述预热装置接收所述待处理晶圆时的温度为所述第一温度；步骤3)中，所述退火腔室接收所述待处理晶圆时的温度与所述第一温度相同；步骤4)中，所述降温装置接收所述待处理晶圆时的温度与所述第二温度相同。

12.根据权利要求9所述的晶圆退火处理方法，其特征在于，步骤2)中，通过加热器实现对所述待处理晶圆的加热；步骤3)中，通过设置于所述退火腔室内的加热灯泡实现对所述待处理晶圆的加热；步骤4)中，所述降温装置具有降温腔以及与所述降温腔相连通的气体入口，通过经由所述气体入口向所述降温腔内通入的冷却气体实现对所述降温腔内的所述待处理晶圆的降温。

13.根据权利要求9～12中任意一项所述的晶圆退火处理方法，其特征在于，对所述待处理晶圆进行步骤3)的处理的同时，还包括对另外至少一片待处理晶圆进行步骤2)的处理的步骤。