1.一种交流110V-LED芯片亮度的检测方法，其特征在于，包括步骤：A、用低电流正反测试芯片的亮度，并取正反向测试亮度的差值；

B、将不同差值段的芯片用光型仪低电流持续点亮，并观察每个单胞的发光情况，确定存在单胞死灯的差值段，并进行重复验证，确定死灯比例最高的差值段；死灯即不亮灯的单胞；

C、统计数据，确定存在漏电风险的芯片亮度差值为X。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在步骤A之前包括：用正常使用的电流正反测试芯片电压、亮度、波长、漏电等参数，采用普通正装芯片的通用测试方法，对芯片进行初步筛选。

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在步骤C之后包括：在点测机台上设定低电流亮度差的卡值X，作为芯片筛选的亮度差阈值。

4.根据权利要求1-3任一项所述的检测方法，其特征在于，不同差值段的区分方法为：以亮度差值的最大值和最小值为区域极点，每隔10％～30％列为一个插值段。