1.一种具有抗氧化活性的疏水性多孔硅姜黄素微胶囊，其特征在于，由疏水性多孔硅、姜黄素母液和双蒸水按质量体积比10：1-1.5：1-1.5(mg/ml/ml)制备而成。

2.根据权利要求1所述的疏水性多孔硅姜黄素微胶囊，所述疏水性多孔硅由单晶硅片通过电化学刻蚀形成多孔硅薄膜再制成微米级多孔硅颗粒，最后加入十八烷基硅烷修饰得到。

3.根据权利要求1所述的疏水性多孔硅姜黄素微胶囊，所述姜黄素母液的浓度为1-

1.5mg/ml。

4.一种权利要求1所述的疏水性多孔硅姜黄素微胶囊的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将单晶硅片在超声波下处理，然后置于NH4OH、H2O2和H2O的混合液中加热，再浸泡在HCl、H2O2和H2O混合液中加热，冲洗后将硅片浸泡在乙醇中备用；

(2)将步骤(1)备用硅片用刻蚀液避光环境下进行刻蚀得到多孔硅薄膜；

(3)用剥离液将刻蚀好的多孔硅薄膜剥离下来于乙醇溶液中超声，制备成微米级多孔硅颗粒；

(4)将微米级多孔硅颗粒离心，弃去澄清液，将微米级多孔硅颗粒表面上残留的乙醇溶液吹干，然后加入甲苯、十八烷基硅烷，混合均匀加热进行修饰；修饰后离心，弃去修饰液，所得多孔硅微粒用甲苯和乙醇分别冲洗，真空条件下干燥，得到疏水性多孔硅；

(5)将步骤(4)中疏水性多孔硅中加入姜黄素母液和双蒸水进行姜黄素加载；得到疏水性多孔硅姜黄素微胶囊。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述单晶硅片为P型硼参杂，电阻为0.0008-0.0012Ω。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述刻蚀液为体积比1:1-1.2的含体积分数48％的氢氟酸水溶液和无水乙醇。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述刻蚀的刻蚀电流30-

60mA/cm2，刻蚀时间600-650秒。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述剥离液为体积比1:28-30的含体积分数48％的氢氟酸水溶液和无水乙醇。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述甲苯、十八烷基硅烷与吹干的微米级多孔硅颗粒的体积质量比为1.5-1.6：0.4-0.5：50(ml/ml/mg)。

10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)所述姜黄素加载条件为通过水浴静置、磁力搅拌或摇床震荡，在温度为25℃-65℃，加载2h-24h。