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专利号: 2017106373945
申请人: 成都信息工程大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2024-11-12
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种高稳定性低湿度检测的QCM湿度传感器,包括压电晶片、金属电极和湿度敏感薄膜层;所述压电晶片表面设有金属电极,金属电极表面设有湿度敏感薄膜层;其特征在于:所述金属电极上设有至少一个孔洞,所述湿度敏感薄膜层为介质湿度敏感材料;

一种高稳定性低湿度检测的QCM湿度传感器的制备方法,具有以下步骤:S1:在压电石英晶片上通过蒸镀工艺形成金属吸附层;

S2:在金属吸附层上通过蒸镀工艺形成金属电极;

S3:通过光刻工艺和腐蚀工艺,在金属电极和金属吸附层形成孔洞结构;

S4:用酒精和去离子水清洗,上述加工获得的带有金属电极的压电石英片,从而去除污染物,并干燥;

S5:湿度敏感薄膜层通过气喷,或者旋涂,或者滴涂方法形成在金属电极表面,并干燥。

2.根据权利要求1所述的一种高稳定性低湿度检测的QCM湿度传感器,其特征在于:所述孔洞尺寸小于金属电极尺寸。

3.根据权利要求1所述的一种高稳定性低湿度检测的QCM湿度传感器,其特征在于:所述金属电极材料为金。

4.根据权利要求3所述的一种高稳定性低湿度检测的QCM湿度传感器,其特征在于:还包括金属吸附层;所述金属吸附层设于压电晶片与金属电极之间。

5.根据权利要求4所述的一种高稳定性低湿度检测的QCM湿度传感器,其特征在于:所述金属吸附层的材料为铬。

6.根据权利要求1所述的一种高稳定性低湿度检测的QCM湿度传感器,其特征在于:所述压电晶片的材料为石英;所述压电晶片为AT切型。

7.根据权利要求6所述的一种高稳定性低湿度检测的QCM湿度传感器,其特征在于:所述压电晶片的基础谐振频率为5‑20MHz。

8.根据权利要求1或3所述的一种高稳定性低湿度检测的QCM湿度传感器,其特征在于:所述金属电极为圆形或者长方形;金属电极尺寸小于压电晶片尺寸。