1.一种半导体二极管器件的封装结构，其特征在于：所述半导体二极管器件的封装结构包括依次层叠的钢化玻璃板、树脂复合材料胶膜、半导体二极管器件层、金属‑树脂复合材料胶膜以及背板；

所述树脂复合材料胶膜包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第一乙烯‑1‑丁烯共聚物层、第一环氧树脂粘结层、聚萘二甲酸乙二醇酯基层、第二环氧树脂粘结层以及第一聚四氟乙烯层，其中所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层中开设有多个贯穿所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层的通孔，所述通孔中填充有第一环氧树脂粘结加强柱，所述第一环氧树脂粘结加强柱连接所述第一环氧树脂粘结层和所述第二环氧树脂粘结层；

所述金属‑树脂复合材料胶膜包括依次层叠的靠近所述半导体二极管器件层的第二乙烯‑1‑丁烯共聚物层、第三环氧树脂粘结层、金属基层、第四环氧树脂粘结层以及第二聚四氟乙烯层，其中所述金属基层中开设有多个贯穿所述金属基层的通孔，所述通孔中填充有第二环氧树脂粘结加强柱，所述第二环氧树脂粘结加强柱连接所述第三环氧树脂粘结层和所述第四环氧树脂粘结层；

所述第一乙烯‑1‑丁烯共聚物层的厚度为200‑400微米，所述第一环氧树脂粘结层和所述第二环氧树脂粘结层的厚度范围为400‑800纳米，所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层的厚度为300‑500微米，所述第一聚四氟乙烯层的厚度为100‑200微米，所述聚萘二甲酸乙二醇酯基层中的多个通孔呈矩阵排列。

2.根据权利要求1所述的半导体二极管器件的封装结构，其特征在于：所述第二乙烯‑

1‑丁烯共聚物层的厚度为100‑500微米，所述第三环氧树脂粘结层和所述第四环氧树脂粘结层的厚度为500‑900纳米，所述金属基层的厚度为600‑900微米，所述第二聚四氟乙烯层的厚度为100‑300微米，所述金属基层中的多个通孔呈矩阵排列。

3.根据权利要求1所述的半导体二极管器件的封装结构，其特征在于：所述金属基层的材质为铝、铜和不锈钢中的一种。

4.根据权利要求1所述的半导体二极管器件的封装结构，其特征在于：所述半导体二极管器件层中的半导体二极管器件为太阳能电池或光电探测器。

5.根据权利要求1所述的半导体二极管器件的封装结构，其特征在于：所述背板为金属背板或TPT背板。