1.一种半导体光电二极管封装结构，其特征在于：所述半导体光电二极管封装结构包括依次层叠的透明盖板、第一封装胶层、第二封装胶层、第三封装胶层、半导体光电二极管器件层、第四封装胶层、第五封装胶层、第六封装胶层以及背板；

所述第一封装胶层包括乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以及相对于所述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物100重量份为5-10重量份的铕络合物；

所述第二封装胶层包括有机硅胶以及相对于所述有机硅胶100重量份为2-4重量份的铕络合物；

所述第三封装胶层包括乙烯-4-甲基-1-戊烯共聚物以及相对于所述乙烯-4-甲基-1-戊烯共聚物100重量份为0.5-1.5重量份的铕络合物；

所述第四封装胶层包括乙烯-4-甲基-1-戊烯共聚物以及相对于所述乙烯-4-甲基-1-戊烯共聚物100重量份为5-10重量份的二氧化钛纳米颗粒；

所述第五封装胶层包括有机硅胶以及相对于所述有机硅胶100重量份为2-4重量份的二氧化钛纳米颗粒；

所述第六封装胶层包括乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以及相对于所述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物100重量份为0.5-1.5重量份的二氧化钛纳米颗粒；

其中所述铕络合物用于将紫外区域的光线转换成可见区域或近红外区域的波长的光线，所述二氧化钛纳米颗粒用于吸收透过半导体光电二极管器件层的紫外区域的光线，所述二氧化钛纳米颗粒的烧失量为0.2%以上且0.8%以下。

2.根据权利要求1所述的半导体光电二极管封装结构，其特征在于：所述透明盖板的材质为玻璃或高分子树脂。

3.根据权利要求1所述的半导体光电二极管封装结构，其特征在于：所述半导体光电二极管器件层中的光电二极管器件为太阳能电池或光电探测器。

4.根据权利要求1所述的半导体光电二极管封装结构，其特征在于：所述背板为金属背板或TPT背板。

5.根据权利要求1所述的半导体光电二极管封装结构，其特征在于：所述二氧化钛纳米颗粒的烧失量为0.4%以上且0.6%以下。

6.根据权利要求1所述的散半导体光电二极管封装结构，其特征在于：所述二氧化钛纳米颗粒的粒径为800纳米-2000纳米。