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专利号: 201710405569X
申请人: 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-15
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种低成本、高密度ITO靶材的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

(1)预混液制备:取分散剂和粘接剂加入水中,搅拌均匀,用氨水调pH值至8~11,得预混液;分散剂的加入量为ITO粉体质量的0.2~0.3%,粘接剂的加入量为ITO粉体质量的0.3~2%,水的加入量为ITO粉体质量的10~20%;所述分散剂为重量比为1~2:1的柠檬酸和聚丙烯酸胺的混合物;

(2)悬浮浆料的制备:向预混液中加入以化学共沉淀法制备的ITO粉体和烧结剂,再于球磨机中进行球磨,球磨后得到混合浆料,搅拌,抽真空除去浆料中的气泡;所述烧结剂由稀土氧化物、氮化钛和纳米GeO2组成;

(3)注浆后坯体成型:把铝制模装在石膏板上,将步骤(2)所得浆料注入铝制模中;吸浆成型后脱模干燥,干燥温度为30~70℃,得ITO坯体;

(4)烧结:干燥后的ITO坯体在常压纯氧气的气氛下烧结,温度为1450~1550℃,保温时间为4~8小时,得ITO靶材。

2.根据权利要求1所述的一种低成本、高密度ITO靶材的制备方法,其特征在于:所述ITO粉体中氧化锡的质量含量为5~20%,氧化铟的质量含量为80~95%,粉体纯度不低于

99.9%,粉体的粒径为0.2~1.0μm。

3.根据权利要求1所述的一种低成本、高密度ITO靶材的制备方法,其特征在于:所述粘接剂为聚丙烯酸类粘接剂或聚乙烯醇缩丁醛。

4.根据权利要求1所述的一种低成本、高密度ITO靶材的制备方法,其特征在于:所述稀土氧化物为CeO2、Y2O3或Dy2O3,所述稀土氧化物的添加量为ITO粉体的1.0~1.5%。

5.根据权利要求1所述的一种低成本、高密度ITO靶材的制备方法,其特征在于:所述氮化钛的添加量为ITO粉体0.005~0.05%,所述纳米GeO2的添加量为ITO粉体的0.6~1.0%。