1.一种制作集成多种光电器件的基材结构，其特征在于，所述基材结构包括：衬底；

第一接触层，所述第一接触层通过外延生长于所述衬底上；

包层，所述包层通过外延生长于所述第一接触层上；

第二接触层，所述第二接触层通过外延生长于所述包层上；

有源区，所述有源区通过外延生长于所述第二接触层上；

第三接触层，所述第三接触层通过外延生长于所述有源区上；

无定型硅波导，所述无定型硅波导通过沉积形成于所述第三接触层上；

所述第一接触层、所述第二接触层以及所述包层的导电类型均相同，所述第三接触层与所述第一接触层的导电类型相反；

所述有源区包括：

第一光限制区域，所述第一光限制区域通过外延生长于所述第二接触层上；

核心区域，所述核心区域通过外延生长于所述第一光限制区域上；

第二光限制区域，所述第二光限制区域通过外延生长于所述核心区域上；

所述第一光限制区域与所述第二光限制区域折射率小于所述核心区域。

2.如权利要求1所述的基材结构，其特征在于，所述第一接触层、第二接触层和所述第三接触层均为高掺杂区；

所述包层为低掺杂区。

3.如权利要求1所述的基材结构，其特征在于，所述第二接触层的厚度小于0.1微米，所述第三接触层的厚度小于0.1微米。

4.如权利要求1所述的基材结构，其特征在于，所述无定型硅波导通过等离子体增强化学汽相沉积形成于所述第三接触层上。

5.如权利要求1所述的基材结构，其特征在于，所述基材结构在所述衬底和所述第一接触层之间，还包括：缓冲层，所述缓冲层形成于所述衬底上，所述第一接触层形成于所述缓冲层上。

6.如权利要求1所述的基材结构，其特征在于，所述无定型硅波导包括：第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层形成于所述第三接触层上；

中心无定型硅层，所述中心无定型硅层形成于所述第一二氧化硅层上；

第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层形成于所述中心无定型硅层上。

7.一种制作集成多种光电器件的基材的制作方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：制备衬底；

在所述衬底上通过外延生长形成第一N型接触层；

在所述第一N型接触层上通过外延生长形成N型包层；

在所述N型包层上通过外延生长形成第二N型接触层；

在所述第二N型接触层上通过外延生长形成有源区；

在所述有源区上通过外延生长形成P型接触层；

在所述P型接触层上通过沉积形成无定型硅波导；

所述第一N型接触层、所述第二N型接触层以及所述N型包层的导电类型均相同，所述P型接触层与所述第一N型接触层的导电类型相反；

所述在所述第二N型接触层上通过外延生长形成有源区的步骤具体为：在所述第二N型接触层上通过外延生长形成第一光限制区域；

在所述第一光限制区域上通过外延生长形成核心区域；

在所述核心区域上通过外延生长形成第二光限制区域；

所述第一光限制区域与所述第二光限制区域折射率小于所述核心区域。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一N型接触层、第二N型接触层和所述P型接触层均为高掺杂区；

所述N型包层为低掺杂区。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二N型接触层的厚度小于0.1微米，所述P型接触层的厚度小于0.1微米。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述无定型硅波导通过等离子体增强化学汽相沉积形成于所述P型接触层上。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述制备衬底的步骤之后，所述在所述衬底上通过外延生长形成第一N型接触层的步骤之前，还包括下述步骤：在所述衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成所述第一N型接触层。

12.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述P型接触层上通过沉积形成无定型硅波导的步骤具体为：在所述P型接触层上形成第一二氧化硅层；

在所述第一二氧化硅层上形成中心无定型硅层；

在所述中心无定型硅层上形成第二二氧化硅层。