1.一种实现高电压集成CMOS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：于外延层区域形成深沟槽；

于深沟槽的底部和侧壁以及CMOS器件的上表面沉积一栅氧化层；

沉积有栅氧化层的深沟槽中填充多晶硅，并同时于CMOS器件上表面的栅氧化层的表面沉积一多晶硅层；

平坦化处理所述多晶硅层的上表面；

于多晶硅层的平坦化后的上表面附着一多晶硅氧化层；

进行源漏区的离子注入，形成源极和漏极；

于栅极、源极和漏极形成金属引脚，形成CMOS器件。

2.如权利要求1所述的实现CMOS器件的方法，其特征在于，于外延层形成深沟槽的方法还包括：旋涂一光刻胶层覆盖所述衬底的上表面；

以图案化的光刻胶为掩膜，刻蚀形成深沟槽。

3.如权利要求2所述的实现CMOS器件的方法，其特征在于，采用深反应离子刻蚀的方法形成所述深沟槽。

4.如权利要求1所述的实现CMOS器件的方法，其特征在于，所述于深沟槽的底部和侧壁以及CMOS器件的上表面沉积一栅氧化层的方法还包括：于深沟槽的底部和侧壁以及CMOS器件的上表面沉积一牺牲氧化层；

去除所述牺牲氧化层；

于深沟槽的底部和侧壁以及CMOS器件的上表面沉积一栅氧化层。

5.如权利要求4所述的实现CMOS器件的方法，其特征在于，根据电压的需要控制所述栅氧化层的厚度。

6.如权利要求1所述的实现CMOS器件的方法，其特征在于，采用化学机械抛光的方法平坦化所述多晶硅层的上表面。

7.如权利要求1所述的实现CMOS器件的方法，其特征在于，所述进行源漏区的离子注入，形成源极和漏极的方法还包括：旋涂一层光刻胶覆盖于所述衬底的上表面；

以图案化的光刻胶为掩膜，离子注入形成源区和漏区。

8.如权利要求1所述的实现CMOS器件的方法，其特征在于，所述于栅极、源极和漏极形成金属引脚，形成CMOS器件的方法还包括：于所述衬底的上表面覆盖一绝缘隔离层；

刻蚀去除所述源区、漏区和栅极区上方的部分绝缘隔离层形成若干开口；

于所述开口内填充金属，以形成欧姆接触；

沉积一金属于所述填充金属的上表面，形成若干衬垫，以将所述源极、栅极、漏极电性引出，形成CMOS器件。

9.如权利要求1所述的实现CMOS器件的方法，其特征在于，所述平坦化所述多晶硅层的上表面的步骤还包括：去除所述衬底上表面的多晶硅以及所述深沟槽中高于所述衬底上表面部分的多晶硅。

10.一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构，其特征在于，所述结构包括：衬底，设置有深沟槽结构，且于所述深沟槽结构的两侧设置有源区；

多晶硅栅，充满所述深沟槽结构；

栅氧化层，设置在所述多晶硅栅与所述衬底之间，以将所述衬底与所述多晶硅栅以及源区绝缘；

绝缘层，覆盖所述衬底、栅绝缘层和多晶硅栅的上表面；

多个金属引脚，设置于所述绝缘层之上，且分别位于所述有源区和所述多晶硅栅上方，以将栅极、源极区和漏极区电性引出。

11.如权利要求10所述的器件结构，其特征在于，所述深沟槽的深度大于所述源区的深度。

12.如权利要求10所述的器件结构，其特征在于，所述绝缘层上设置有若干开口，所述开口位于栅极区、源极区和漏极区上方的绝缘层。

13.如权利要求12所述的器件结构，其特征在于，所述开口内填充金属，以形成欧姆连接。

14.如权利要求13所述的器件结构，其特征在于，所述金属与所述金属引脚紧密贴合。