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专利号: 2017103605777
申请人: 泰州龙谷信息科技有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-08-04
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于双阴极等离子溅射沉积技术的铜镁合金表面耐腐蚀层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:第1步,以铜镁合金以石墨为阳极,铜镁合金为阴极,在电解液中通过电沉积获得Ti-B合金涂层;所述的电解液中包括有如下组分:四氯化钛10~30 g/L、硼盐3~5 g/L、硼酸 12~20 g/L、润湿剂 0.5~0.8g/L,通过H2SO4调节电解液的pH范围是4~6;电解完成后,取出工件,依次经过乙醇、水清洗后,烘干;

第2步,以金属铌作为靶材,在第1步得到的工件表面通过双阴极等离子溅射沉积方法在表面形成致密层Nb。

2.根据权利要求1所述的基于双阴极等离子溅射沉积技术的铜镁合金表面耐腐蚀层的制备方法,其特征在于,所述的第1步中,润湿剂选自十二烷基硫酸钠或者十二烷基磺酸钠中的一种或者两种的混合。

3.根据权利要求1所述的基于双阴极等离子溅射沉积技术的铜镁合金表面耐腐蚀层的制备方法,其特征在于,所述的第1步中,电流密度范围为2.0~8.0A/dm2,电沉积温度为45~65℃,沉积时间200~600s。

4.根据权利要求1所述的基于双阴极等离子溅射沉积技术的铜镁合金表面耐腐蚀层的制备方法,其特征在于,所述的第2步中,靶材电压为650~750 V,工件电压为140~260 V,靶材与工件间距为12~18 mm,Ar气压为25~45 Pa,沉积温度为550~850 ℃,沉积时间为

1.5~3.0 h。

5.根据权利要求1所述的基于双阴极等离子溅射沉积技术的铜镁合金表面耐腐蚀层的制备方法,其特征在于,所述的第2步中,Nb耐腐蚀层的厚度范围是10~200μm。

6.根据权利要求1所述的基于双阴极等离子溅射沉积技术的铜镁合金表面耐腐蚀层的制备方法,其特征在于,所述的第1步中,铜镁合金是指Cu-Mg0.3wt%合金。

7.权利要求1~6任一项所述的制备方法所直接得到的耐腐蚀的镀层铜镁合金。

8.权利要求7所述的镀层铜镁合金在腐蚀环境中的应用。

9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述的腐蚀环境是指铜镁合金表面在有外力作用下的盐溶液环境。

10.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述的外力作用是指超声作用;所述的盐溶液是指NaCl溶液。