1.一种HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜，其特征在于，所述HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜为Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3薄膜，x＝0.01～0.04，该薄膜为扭曲的菱方钙钛矿结构，空间群为三方相的R3m:R和R3c:H共存。

2.根据权利要求1所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜，其特征在于，所述HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜在1080kV/cm测试电场下的铁电正反转电流为1.5mA，铁电正漏导电流为

0.15mA，铁电负反转电流为1.8mA，铁电负漏导电流为0.13mA，具有高反转电流的矩形度电滞回线。

3.根据权利要求1所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜，其特征在于，所述HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜在1kHz频率下，1080kV/cm测试电场下的剩余极化强度为135μC/cm2，矫顽场为300kV/cm，铁电畴易翻转。

4.权利要求1-3中任意一项所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：按摩尔比为0.94:0.08:0.03:(0.97-x):0.03:x将硝酸铋、硝酸钬、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸锌溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后加入醋酸酐，继续搅拌均匀，得到前驱液；其中x＝0.01～0.04；

步骤2：将前驱液旋涂在FTO/glass基片上，得到湿膜，湿膜经匀胶后在190～220℃下烘烤得干膜，再于540～560℃下在空气中退火，得到晶态Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3薄膜；

步骤3：将晶态Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3薄膜冷却至室温，重复步骤2直到达到所需厚度，即得到HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜。

5.根据权利要求4所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中前驱液中金属离子的总浓度为0.2～0.4mol/L。

6.根据权利要求4所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，所述前驱液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(2.5～3.5):1。

7.根据权利要求4所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2进行前先将FTO/glass基片清洗干净，然后在紫外光下照射，使FTO/glass基片表面达到原子清洁度。

8.根据权利要求4所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中匀胶时的匀胶转速为3800～4000r/min，匀胶时间为12～18s。

9.根据权利要求4所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中匀胶后的烘烤时间为8～10min。

10.根据权利要求4所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中的退火时间为20～25min。