1.一种氧化钼电致变色纳米薄膜，其特征在于，薄膜为厚度为100   150 nm的纳米片~状结构阵列、层状结构的纳米块、宽厚比8 12，长度在4 6 μm的短纳米带或者直径70 100 ~ ~ ~nm的表面粗糙的纳米球。

2.一种根据权利要求1所述的氧化钼电致变色纳米薄膜的制备方法，其特征在于：其采用直接水热法制备，具体步骤如下：①冰水浴下，将单质钼、双氧水与去离子水混合溶解，再磁力搅拌，陈化6   12 h后形~成均一透明黄色溶液；之后向其中加入封端剂和粘结剂，混合得到反应前躯体；

②将步骤①得到的反应前驱体转移至聚四氟乙烯反应釜芯中，导电玻璃的导电面朝下倾斜放置于反应釜中，随后置于烘箱中120   180 ℃的温度下恒温反应3   24 h，反~ ~应结束后自然冷却至室温，将所制得的薄膜浸润、干燥、热处理，即可制得氧化钼电致变色纳米薄膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤 ①中，单质钼、双氧水、封端剂与粘结剂的质量比为（1.0 1.2 ）：（8 20 ）： 1 ：（ 0.5 2）。

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4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤①中，封端剂为无机钠盐或者有机钠盐。

5.根据权利要求2或4所述的制备方法，其特征在于，步骤①中，封端剂为硝酸钠，氯化钠，酒石酸钠或柠檬酸钠中的任意一种。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤①中，粘结剂为聚乙二醇PEG，聚吡咯烷酮PVP，聚乙烯醇PVA，葡萄糖或正丁醇中的任意一种。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤①中，陈化时间为8 10小时。

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8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤②中，恒温温度为130 150℃，恒~温反应时间为5 8h。

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9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤②中，采用乙醇浸润，浸润时间为

10 20min。

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10.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤②中，干燥温度为30 ℃；热处理温度为350   450 ℃，热处理时间为1 3h。

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