1.一种凹陷式类单晶硅籽晶熔化控制的装料方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤a、在石英坩埚(6)内表面喷涂氮化硅粉末冷却，作为保护层(5)；

步骤b、在石英坩埚(6)底部铺设一层菜籽料；

步骤c、在菜籽料上铺设籽晶板或者籽晶块，作为定向凝铸半熔工艺的籽晶层(1)；

步骤d、使用小颗粒原生多晶硅料将上述步骤中铺设的籽晶板或者籽晶块之间的缝隙填满；

步骤e、在籽晶层(1)上铺设50mm-100mm菜籽料，作为缓冲层(2)；

步骤f、在缓冲层(2)上铺设36块由头尾料构成的晶砖，作为阻挡层(3),所述阻挡层(3)的晶砖从坩埚壁向坩埚中心渐次降低，形成一个凹陷的结构；

步骤g、在阻挡层(3)上逐层码放如下硅料(4)：交替铺设头尾多晶废料、多晶碎片、原生硅料、多晶颗粒料，直至达到所需的硅料要求。

2.根据权利要求1所述的凹陷式类单晶硅籽晶熔化控制的装料方法，其特征在于：所述步骤c中籽晶块的制备过程如下：从单晶硅锭中去除边皮形成单晶硅棒，将硅棒切割成籽晶块，所得籽晶块的尺寸为：156*156*15mm。

3.根据权利要求1所述的凹陷式类单晶硅籽晶熔化控制的装料方法，其特征在于：所述步骤c中籽晶板的制备过程如下：采用直拉法制备的8英寸晶棒，沿着直拉方向进行板状切割，所得籽晶板的尺寸为156*980mm2。

4.根据权利要求1所述的凹陷式类单晶硅籽晶熔化控制的装料方法，其特征在于：所述步骤e中的缓冲层(2)的填充高度为100-150mm。

5.根据权利要求1所述的缓冲式单层多晶硅籽晶熔化控制的装料方法，其特征在于：所述步骤f中多晶硅晶砖的长、宽、高分别为156mm、156mm、30-40mm。