1.一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：包括应用于铸造系统的测温电路，所述测温电路设置在铸造系统内，在所述测温电路内设置有测温模块、放大电路及压频转换电路,所述测温模块设置在铸造系统内，且测温模块与放大电路相连接，放大电路连接压频转换电路；压频转换电路内设置有集成芯片IC2、施密特触发器IC3、电阻R6、电容C4、电阻R7、电容C2、电容C3、电阻R8、电阻R9及电位器W2，集成芯片IC2的7脚通过电阻R6与放大电路的输出端相连接，且集成芯片IC2的7脚通过电容C4接地；电阻R7分别与集成芯片IC2的8脚和5脚相连接，电容C2的第一端与集成芯片IC2的5脚相连接，电容C2的第二端通过电容C3与集成芯片IC2的1脚相连接，电容C2的第二端接地且通过电阻R8与集成芯片IC2的6脚相连接；所述集成芯片IC2的2脚通过电位器W2连接集成芯片IC2的4脚且接地，电位器W2的可调端与地相连接；集成芯片IC2的3脚通过施密特触发器IC3与铸造系统的控制电路相连接，且集成芯片IC2的3脚通过电阻R9与电源VCC相连接，电源VCC还分别与集成芯片IC2的

8脚及测温模块相连接。

2.根据权利要求1所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：在所述放大电路内设置有电阻R5、集成运放IC1、电容C1及电阻R4，集成运放IC1的同相输入端和反相输入端皆与测温模块相连接，集成运放IC1的反相输入端通过电阻R4与集成运放IC1的输出端out相连接，集成运放IC1的同相输入端通过电阻R5接地，且输出端out通过电容C1接地，输出端out与电阻R6相连接。

3.根据权利要求2所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：在所述测温电路内设置有温度探测器(1)、电阻R1、电阻R2、电阻R3、稳压管DZ及电位器W1，所述温度探测器(1)的正极端分别与电阻R2的第二端及集成运放IC1的反相输入端相连接，温度探测器(1)的负极端分别与电位器W1的第二固定端及稳压管DZ的第二端连接且接地，电位器W1的第一固定端通过电阻R3分别与电阻R1的第二端、电阻R2的第一端及稳压管DZ的第一端相连接，电阻R1的第一端与电源VCC相连接，电位器W1的可调端连接集成运放IC1的同相输入端。

4.根据权利要求3所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：所述稳压管DZ的正极接地。

5.根据权利要求3或4所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：

在所述铸造系统内设置有加热装置(4)、密闭装置、浸入式射管(6)及模具(7)，所述密闭装置设置在加热装置(4)的进料口处，加热装置(4)的出料口与浸入式射管(6)的进口相连接，浸入式射管(6)的出口与模具(7)的注料口相连接；所述温度探测器(1)设置在加热装置(4)的加热腔内部。

6.根据权利要求5所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：在所述密闭装置内设置有浇口盘(3)和用于密闭浇口盘(3)浇口的浇口塞(2)，所述浇口盘(3)遮盖设置在加热装置(4)的进料口处，且在空间位置上自上而下密闭装置、加热装置(4)、浸入式射管(6)及模具(7)依次设置。

7.根据权利要求5所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：所述温度探测器(1)至少有两个，且分别设置在加热装置(4)的加热腔与密闭装置连接处及加热装置(4)的加热腔与浸入式射管(6)的进口连接处。

8.根据权利要求5所述的一种应用于低温铸造系统的温度检测电路，其特征在于：所述浸入式射管(6)为上大下小的漏斗状结构。