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专利号: 2015103692649
申请人: 西南大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.氧化亚铜复合二氧化钛纳米线阵列光阳极材料,其特征在于,采用以下方法制备:(1)先进行基片预处理至基片表面洁净;

(2)加入钛前驱体溶液,水热反应在基片上生长二氧化钛纳米线阵列;

(3)将步骤(2)获得的二氧化钛纳米线阵列进行加热处理,获得具有一定晶型的结晶;

(4)将步骤(3)得到的结晶置于过量的二价铜盐和多胺类聚合物的混合溶液中进行水热反应,得到氧化亚铜复合二氧化钛纳米线阵列光阳极材料;所述二价铜盐和多胺类聚合

2+

物按w(Cu )/w(多胺类聚合物)=0.3~3:1的比例进行混合。

2.根据权利要求1所述的氧化亚铜复合二氧化钛纳米线阵列光阳极材料,其特征在于,所述步骤(2)中所述水热反应的温度为120~200℃,反应时间为12~48h。

3.根据权利要求1所述的氧化亚铜复合二氧化钛纳米线阵列光阳极材料,其特征在于,所述步骤(3)中加热处理条件为450℃烧结半小时,所述结晶为锐钛矿晶型结晶。

4.根据权利要求1所述的氧化亚铜复合二氧化钛纳米线阵列光阳极材料,其特征在于,所述步骤(4)中所述水热反应温度为180℃,水热反应时间为12~36h。

5.根据权利要求1所述的氧化亚铜复合二氧化钛纳米线阵列光阳极材料,其特征在于,所述步骤(1)中所述基片为FTO玻璃。

6.根据权利要求1所述的氧化亚铜复合二氧化钛纳米线阵列光阳极材料,其特征在于,所述步骤(2)中所述钛前驱体溶液为异丙醇钛或正丁醇钛。

7.权利要求1~6任一项所述氧化亚铜复合二氧化钛纳米线阵列光阳极材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)先进行基片预处理至基片表面洁净;

(2)加入钛前驱体溶液,水热反应在基片上生长二氧化钛纳米线阵列;

(3)将步骤(2)获得的二氧化钛纳米线阵列进行加热处理,获得具有一定晶型的结晶;

(4)将步骤(3)得到的结晶置于过量的二价铜盐和多胺类聚合物的混合溶液中进行水热反应,得到氧化亚铜复合二氧化钛纳米线阵列光阳极材料;所述二价铜盐和多胺类聚合

2+

物按w(Cu )/w(多胺类聚合物)=0.3~3:1的比例进行混合。