1.一种TiO2/RGO/C3N4复合电极的制备方法，其特征在于：首先采用低温液相法经水热反应在FTO基片上制备出双层TiO2纳米棒阵列，继而利用旋凃法在其之上均匀地旋涂一层氧化石墨烯与氮化碳的混合溶液，最后将其在氮气保护下煅烧形成TiO2/RGO/C3N4复合电极，具体步骤如下：A 将浓盐酸和去离子水混合搅拌，同时逐滴加入钛酸四正丁酯并且搅拌均匀；

B 将上述所得到的溶液转移至四氟乙烯内衬的反应釜中，在其中放入清洗过的FTO基片并使FTO的导电面浸泡在溶液中，升温至180℃温度下恒温6h，自然冷却，在FTO导电面合成得到TiO2纳米棒阵列；

C 将上述所得到的FTO基片取出，用去离子水洗涤干净，自然干燥；

D 将乙酸和乙醇混合搅拌，同时逐滴加入钛酸四正丁酯并且搅拌均匀至澄清；将步骤C所得的FTO基片的导电面浸泡在溶液中；

E 将上述所得到的FTO基片自然干燥，放入马弗炉中以2℃/min的升温速率升温至450℃恒温2h，即在FTO导电面合成得到双层的TiO2纳米棒阵列；

F 将氧化石墨烯和氮化碳以摩尔比1:2-2:1加入乙醇中，并且用超声使其均匀分散在乙醇中，用旋涂仪将氧化石墨烯/氮化碳的乙醇溶液均匀的旋涂在表面沉积有双层TiO2纳米棒阵列上，旋涂次数为1-3次，然后将其放入管炉式中升温至400℃，在N2作为保护气的情况下，升温速率2℃/min，恒温2h，冷却至室温后取出，即得到TiO2/RGO/C3N4复合电极。

2.如权利要求1所述的一种TiO2/RGO/C3N4复合电极的制备方法，其特征在于：步骤A中，所述浓盐酸、去离子水和钛酸四正丁酯的体积比为15：15：0.7，浓盐酸的浓度为37.5wt％。

3.如权利要求1所述的一种TiO2/RGO/C3N4复合电极的制备方法，其特征在于，步骤D中，所述乙酸、乙醇和钛酸四正丁酯的体积比为1：50：0.75，将步骤C所得的FTO基片的导电面浸泡在溶液中1h。

4.如权利要求1所述的一种TiO2/RGO/C3N4复合电极的制备方法，其特征在于，步骤F中，氧化石墨烯和氮化碳摩尔比为1:1，旋凃次数为2次。

5.如权利要求1-4中任一制备方法制备的TiO2/RGO/C3N4复合电极的用途，作为工作电极应用于光电化学水分解反应。