1.一种绝缘栅双极晶体管，包括从下至上依次层叠设置的金属化集电极(1)、P型集电区(2)、N型缓冲层(3)、N-漂移区(4)和P-base区(6)，所述P-base区(6)两侧具有槽栅结构；

所述P-base区(6)上表面具有金属化发射极(10)；所述P-base区(6)上层具有N+发射极(11)，所述N+发射极(11)的上表面与金属化发射极(10)接触，N+发射极(11)的侧面与槽栅结构接触；所述槽栅结构由栅氧化层(5)、位于栅氧化层(5)中的多晶硅栅(8)以及位于多晶硅栅(8)上表面的金属化栅电极(9)构成；其特征在于，所述P-base区(6)中具有N型重掺杂层(7)，所述N型重掺杂层(7)将P-base区(6)分割为上下两层结构，且N型重掺杂层(7)在与两侧栅氧化层(5)相连的部分具有1个或多个开孔，使上下两层P-base区(6)通过这些开孔连通。

2.一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：采用N-单晶硅片，制备N-漂移区(4)；

第二步：在N-漂移区(4)背面通过高能离子注入，高温推结，退火，形成较高浓度的N型缓冲层(3)；

第三步：翻转硅片，在N-漂移区(4)上表面采用离子注入工艺并退火，形成一定深度的P-base区(6)，然后在P-base区(6)上层通过离子注入形成N型重掺杂埋层(7)；在形成N型重掺杂埋层(7)的过程中，通过在掩膜版上设置不透光区域，使得重掺杂埋层(7)两侧形成1个或多个开孔；

第四步：在N型重掺杂埋层(7)的上表面通过外延生长形成另一部分P-base区(6)；且形成的两部分P-base区(6)在重掺杂埋层(7)的开孔处连接；

第五步：刻蚀出槽栅结构，所述槽栅沿器件垂直方向穿过P-base区(6)并与N-漂移区(4)连接；

第六步：在槽栅中淀积栅氧化层(5)；

第七步：在栅氧化层上淀积多晶硅层，形成多晶硅栅电极(8)；

第八步：在上P-base区采用离子注入工艺形成N+发射极(11)；

第九步：分别淀积SiO2等绝缘介质、刻蚀欧姆孔；

第十步：淀积金属层，在P-base区(6)上表面形成金属发射极(10)及互联，淀积钝化层；

第十一步：衬底背面减薄、抛光，注入P+并进行离子激活，在N型缓冲层(3)下表面形成P型集电区(2)；

第十二步：背金，在P型集电区(2)下表面形成集电极(1)。